参数资料
型号: IDT70V9169L9BF
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 6/16页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 144KBIT 9NS 100FBGA
标准包装: 60
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,同步
存储容量: 144K(16K x 9)
速度: 9ns
接口: 并联
电源电压: 3 V ~ 3.6 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 100-LFBGA
供应商设备封装: 100-CABGA(10x10)
包装: 托盘
其它名称: 70V9169L9BF
IDT70V9169/59L
High-Speed 3.3V 16/8K x 9 Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range ( V DD = 3.3V ± 0.3V)
70V9169/59L
Symbol
|I LI |
|I LO |
V OL
V OH
Parameter
Input Leakage Current (1)
Output Leakage Current
Output Low Voltage
Output High Voltage
Test Conditions
V DD = 3.6V, V IN = 0V t o V DD
CE = V IH or CE 1 = V IL , V OUT = 0V t o V DD
I OL = +4mA
I OH = -4mA
Min.
___
___
___
2.4
Max.
5
5
0.4
___
Unit
μA
μA
V
V
NOTE:
1. At V DD < 2.0V input leakages are undefined.
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature Supply Voltage Range (3) (V DD = 3.3V ± 0.3V)
5655 tbl 08
70V9169/59L6
Com'l Only
70V9169/59L7
Com'l & Ind
70V9169/59L9
Com'l Only
Symbol
Parameter
Test Condition
Version
Typ. (4)
Max.
Typ. (4)
Max.
Typ. (4)
Max.
Unit
I DD
I SB1
Dynamic Operating
Current (Both
Ports Active)
Standby Current
CE L and CE R = V IL ,
Outputs Disabled,
f = f MAX (1)
CE L = CE R = V IH
COM'L
IND
COM'L
L
L
L
175
____
50
330
____
80
155
155
40
280
330
70
135
____
30
230
____
60
mA
mA
(Both Ports - TTL
Level Inputs)
f = f MAX (1)
IND
L
____
____
40
80
____
____
I SB2
I SB3
I SB4
Standby
Current (One
Port - TTL
Level Inputs)
Full Standby
Current (Both
Ports - CMOS
Level Inputs)
Full Standby
Current (One
CE "A" = V IL and
CE "B" = V IH (5)
Active Port Outputs
Disabled, f=f MAX (1)
Both Ports CE L and
CE R >V DD - 0.2V,
V IN > V DD - 0.2V or
V IN < 0.2V, f = 0 (2)
CE "A" < 0.2V and
CE "B" > V DD - 0.2V (5)
COM'L
IND
COM'L
IND
COM'L
L
L
L
L
L
115
____
0.5
____
105
185
____
3.0
____
175
105
105
0.5
0.5
95
170
180
3.0
3.0
160
95
____
0.5
____
85
155
____
3.0
____
145
mA
mA
mA
Port - CMOS
V IN > V DD - 0.2V or
IND
L
Level Inputs)
V IN < 0.2V, Active Port,
Outputs Disabled , f = f MAX
(1)
____
____
95
175
____
____
5655 tbl 09
NOTES:
1. At f = f MAX , address and control lines (except Output Enable) are cycling at the maximum frequency clock cycle of 1/t CYC , using "AC TEST CONDITIONS" at input
levels of GND to 3V.
2. f = 0 means no address, clock, or control lines change. Applies only to input at CMOS level standby.
3. Port "A" may be either left or right port. Port "B" is the opposite from port "A".
4. V DD = 3.3V, T A = 25°C for Typ, and are not production tested. I CC DC (f=0) = 90mA (Typ).
5. CE X = V IL means CE 0X = V IL and CE 1X = V IH
CE X = V IH means CE 0X = V IH or CE 1X = V IL
CE X < 0.2V means CE 0X < 0.2V and CE 1X > V DD - 0.2V
CE X > V DD - 0.2V means CE 0X > V DD - 0.2V or CE 1X < 0.2V
"X" represents "L" for left port or "R" for right port.
6.42
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