参数资料
型号: IDT70V3569S5BC8
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 4/17页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 576KBIT 5NS 256BGA
标准包装: 1,000
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,同步
存储容量: 576K(16K x 36)
速度: 5ns
接口: 并联
电源电压: 3.15 V ~ 3.45 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 256-LBGA
供应商设备封装: 256-CABGA(17x17)
包装: 带卷 (TR)
其它名称: 70V3569S5BC8
IDT70V3569S
High-Speed 16K x 36 Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM
Pin Configuration (1,2,3,4) (con't.)
12/12/01
Industrial and Commercial Temperature Ranges
I/O 19L
I/O 19R
I/O 20L
I/O 20R
V DDQL
V SS
I/O 21L
I/O 21R
I/O 22L
I/O 22R
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
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155
154
153
152
151
150
149
148
147
I/O 16L
I/O 16R
I/O 15L
I/O 15R
V SS
V DDQL
I/O 14L
I/O 14R
I/O 13L
I/O 13R
V DDQR
V SS
I/O 23L
I/O 23R
I/O 24L
I/O 24R
V DDQL
V SS
I/O 25L
I/O 25R
I/O 26L
I/O 26R
V DDQR
V SS
V DD
V DD
V SS
V SS
V DDQL
V SS
I/O 27R
I/O 27L
I/O 28R
I/O 28L
V DDQR
V SS
I/O 29R
I/O 29L
I/O 30R
I/O 30L
V DDQL
V SS
I/O 31R
I/O 31L
I/O 32R
I/O 32L
V DDQR
V SS
I/O 33R
I/O 33L
I/O 34R
I/O 34L
11
12
13
14
15
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18
19
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44
45
46
47
48
49
50
51
52
70V3569DR
DR-208 (5)
208-Pin PQFP
Top View (6)
146
145
144
143
142
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117
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110
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107
106
105
V SS
V DDQR
I/O 12L
I/O 12R
I/O 11L
I/O 11R
V SS
V DDQL
I/O 10L
I/O 10R
I/O 9L
I/O 9R
V SS
V DDQR
V DD
V DD
V SS
V SS
V SS
V DDQL
I/O 8R
I/O 8L
I/O 7R
I/O 7L
V SS
V DDQR
I/O 6R
I/O 6L
I/O 5R
I/O 5L
V SS
V DDQL
I/O 4R
I/O 4L
I/O 3R
I/O 3L
V SS
V DDQR
I/O 2R
I/O 2L
I/O 1R
I/O 1L
,
4831 drw 02a
NOTES:
1. All V DD pins must be connected to 3.3V power supply.
2. All V DDQ pins must be connected to appropriate power supply: 3.3V if OPT pin for that port is set to V IH (3.3V), and 2.5V if OPT pin for that port is
set to V IL (0V).
3. All V SS pins must be connected to ground supply.
4. Package body is approximately 28mm x 28mm x 3.5mm.
5. This package code is used to reference the package diagram.
6. This text does not indicate orientation of the actual part-marking.
6.42
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