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参数资料
| 型号： | IDT70V18L15PF |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 3/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 576KBIT 15NS 100TQFP |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 576K（64K x 9） |
| 速度： | 15ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V18L15PF |
IDT70V18L
High-Speed 3.3V 64K x 9 Dual-Port Static RAM
Pin Names
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Left Port
CE 0L , CE 1L
R/ W L
OE L
A 0L - A 15L
I/O 0L - I/O 8L
SEM L
INT L
BUSY L
Right Port
CE 0R , CE 1R
R/ W R
OE R
A 0R - A 15R
I/O 0R - I/O 8R
SEM R
INT R
BUSY R
M/ S
V CC
GND
Names
Chip Enables
Read/Write Enable
Output Enable
Address
Data Input/Output
Semaphore Enable
Interrupt Flag
Busy Flag
Master or Slave Select
Power
Ground
4854 tbl 01
Absolute Maximum Ratings (1)
Symbol Rating Commercial
Unit
Recommended DC Operating
Conditions
& Industrial
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
V TERM (2)
Terminal Voltage
-0.5 to +4.6
V
V CC
Supply Voltage
3.0
3.3
3.6
V
with Respect to GND
GND
Ground
0
0
0
V
-0.3
T BIAS
T STG
(3)
Temperature Under Bias
Storage Temperature
-55 to +125
-65 to +150
o
o
C
C
V IH
V IL
Input High Voltage
Input Low Voltage
2.0
(1)
____
____
V CC +0.3 (2)
0.8
V
V
T JN
Junction Temperature
+150
o
C
NOTES:
4854 tbl 04
1. V IL > -1.5V for pulse width less than 10ns.
I OUT
DC Output Current
50
mA
2. V TERM must not exceed Vcc + 0.3V.
4854 tbl 02
N OTES:
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may
cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and functional
operation of the device at these or any other conditions above those indicated in
the operational sections of this specification is not implied. Exposure to absolute
Capacitance (1)
(T A = +25°C, f = 1.0MHz)
C OUT
maximum rating conditions for extended periods may affect reliability.
2. V TERM must not exceed Vcc + 0.3V for more than 25% of the cycle time or 10ns
maximum, and is limited to < 20mA for the period of V TERM > Vcc + 0.3V.
3. Ambient Temperature Under Bias. No AC Conditions. Chip Deselected.
Symbol
C IN
(2)
Parameter
Input Capacitance
Output Capacitance
Conditions
V IN = 0V
V OUT = 0V
Max.
9
10
Unit
pF
pF
Maximum Operating Temperature
and Supply Voltage
4854 tbl 05
NOTES:
1. This parameter is determined by device characterization but is not produc-
tion tested.
Grade
Commercial
Industrial
Ambient
Temperature (1)
0 O C to +70 O C
-40 O C to +85 O C
GND
0V
0V
Vcc
3.3V + 0.3V
3.3V + 0.3V
2. C OUT also references C I/O .
NOTES:
4854 tbl 03
1. This is the parameter T A . This is the "instant on" case temperature.
3
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PDF描述 |
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参数描述 |
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