参数资料
型号: IDT70P248L55BYGI
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 7/23页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 64KBIT 55NS 108PGA
标准包装: 90
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,异步
存储容量: 64K(4K x 16)
速度: 55ns
接口: 并联
电源电压: 1.7 V ~ 1.9 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 100-VFBGA
供应商设备封装: 100-CABGA(6x6)
包装: 托盘
其它名称: 70P248L55BYGI
IDT70P258/248L
Low Power 1.8V 8K/4K x 16 Dual-Port Static RAM
AC Test Conditions
Industrial Temperature Range
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
Output Reference Levels
Output Load
GND to 3.0V/GND to 1.8V
3ns Max.
1.5V/0.9V
1.5V/0.9V
Figure 1
5675 tbl 10
3.0V/1.8V
R1
R1
R2
3.0V
1022 ?
729 ?
1.8V
13500 ?
10800 ?
30pF (1)
R2
5675 tbl 10_5
5675 drw 03
Figure 1. AC Output Test Load
(5pF for t LZ , t HZ , t WZ , t OW )
Timing of Power-Up Power-Down
CE
I CC
t PU
t PD
I SB
50%
50
%
,
5675 drw 04
7
6.42
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PDF描述
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IDT70P247L55BYGI IC SRAM 64KBIT 55NS 100BGA
65801-135LF CLINCHER RECEPTACLE ASSY GOLD
65801-035LF CLINCHER RECEPTACLE ASS'-Y-GOLD
ACB110DHAN CONN EDGECARD 220PS R/A .050 DIP
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参数描述
IDT70P248L55BYGI8 功能描述:IC SRAM 64KBIT 55NS 108PGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M(256K x 36) 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x14) 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI
IDT70P248L55BYI 功能描述:IC SRAM 64KBIT 55NS 108PGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,异步 存储容量:128K(8K x 16) 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x14) 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF
IDT70P248L55BYI8 功能描述:IC SRAM 64KBIT 55NS 108PGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M(256K x 36) 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x14) 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI
IDT70P249L65BYGI 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 64KBIT 65NS 100FPBGA
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