参数资料
型号: IDT709369L9PF8
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 3/16页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 288KBIT 9NS 100TQFP
标准包装: 750
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,同步
存储容量: 288K(16K x 18)
速度: 9ns
接口: 并联
电源电压: 4.5 V ~ 5.5 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 100-LQFP
供应商设备封装: 100-TQFP(14x14)
包装: 带卷 (TR)
其它名称: 709369L9PF8
IDT709379/69L
High-Speed 32/16K x 18 Synchronous Pipelined Dual-Port Static RAM
Pin Names
Industrial and Commercial Temperature Ranges
A 0L - A 14L
A 0R - A 14R
Left Port
CE 0L , CE 1L
R/ W L
OE L
(1)
I/O 0L - I/O 17L
CLK L
UB L
LB L
ADS L
CNTEN L
Right Port
CE 0R , CE 1R
R/ W R
OE R
(1)
I/O 0R - I/O 17R
CLK R
UB R
LB R
ADS R
CNTEN R
Names
Chip Enables (3)
Read/Write Enable
Output Enable
Address
Data Input/Output
Clock
Upper Byte Select (2)
Lower Byte Selectt (2)
Address Strobe
Counter Enable
CNTRST L
FT /PIPE L
CNTRST R
FT /PIPE R
V CC
GND
Counter Reset
Flow-Through/Pipeline
Power
Ground
NOTES:
1. A14x is a NC for IDT709369.
2. LB and UB are single buffered regardless of state of FT /PIPE.
3. CE o and CE 1 are single buffered when FT /PIPE = V IL ,
CE o and CE 1 are double buffered when FT /PIPE = V IH ,
i.e. the signals take two cycles to deselect.
4845 tbl 01
Truth Table I—Read/Write and Enable Control (1,2,3)
OE
X
X
X
X
X
X
L
L
L
H
CLK
X
CE 0
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
CE 1
X
L
H
H
H
H
H
H
H
H
UB
X
X
H
L
H
L
L
H
L
L
LB
X
X
H
H
L
L
H
L
L
L
R/ W
X
X
X
L
L
L
H
H
H
X
Upper Byte
I/O 9-17
High-Z
High-Z
High-Z
DATA IN
High-Z
DATA IN
DATA OUT
High-Z
DATA OUT
High-Z
Lower B yte
I/O 0-8
High-Z
High-Z
High-Z
High-Z
DATA IN
DATA IN
High-Z
DATA OUT
DATA OUT
High-Z
Mode
Deselected —Power Down
Deselected —Power Down
Both Bytes Deselected
Write to Upper Byte Only
Write to Lower Byte Only
Write to Both Bytes
Read Upper Byte Only
Read Lower Byte Only
Read Both Bytes
Outputs Disabled
NOTES:
1. "H" = V IH, "L" = V IL, "X" = Don't Care.
2. ADS , CNTEN , CNTRST = X.
3. OE is an asynchronous input signal.
3
6.42
4845 tbl 02
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PDF描述
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