- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录4006 > IDT709089S9PF (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 512KBIT 9NS 100TQFP PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT709089S9PF |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 11/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 512KBIT 9NS 100TQFP |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 512K (64K x 8) |
| 速度： | 9ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 709089S9PF |
IDT709089/79S/L
High-Speed 64/32K x 8 Synchronous Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform with Port-to-Port Flow-Through Read (1,2,3,5)
CLK "A"
R/ W "A"
t SW
t SA
t HW
t HA
ADDRESS "A"
DATA IN"A"
MATCH
t SD
t HD
VALID
t CCS
(4)
NO
MATCH
CLK "B"
t CD1
R/ W "B"
t SW t HW
t SA
t HA
ADDRESS "B"
MATCH
NO
MATCH
DATA OUT"B"
t DC
t CWDD
(4)
VALID
t CD1
t DC
VALID
3242 drw 10
NOTES:
1. Transition is measured 0mV from Low or High-impedance voltage with the Output Test Load (Figure 2).
2. CE 0 and ADS = V IL ; CE 1 and CNTRST = V IH .
3. OE = V IL for the Right Port, which is being read from. OE = V IH for the Left Port, which is being written to.
4. If t CCS < maximum specified, then data from right port READ is not valid until the maximum specified for t CWDD .
If t CCS > maximum specified, then data from right port READ is not valid until t CCS + t CD1 . t CWDD does not apply in this case.
5. All timing is the same for both Left and Right ports. Port "A" may be either Left or Right port. Port "B" is the opposite of Port "A".
11
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FMC65DRXI | CONN EDGECARD 130PS DIP .100 SLD |
| ASC31DTEI | CONN EDGECARD 62POS .100 EYELET |
| IDT7008S35J8 | IC SRAM 512KBIT 35NS 84PLCC |
| MC860SRCVR50D4R2 | IC MCU POWERQUICC 50MHZ 357-PBGA |
| IDT7008S25J8 | IC SRAM 512KBIT 25NS 84PLCC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT709089S9PF8 | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 9NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT709099L12PF | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT709099L12PF8 | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT709099L7PF | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 7NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT709099L7PF8 | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 7NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。