- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录4007 > IDT7054S25PRF8 (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 32KBIT 25NS 128TQFP PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT7054S25PRF8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 10/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 32KBIT 25NS 128TQFP |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 四端口，异步 |
| 存储容量： | 32K (4K x 8) |
| 速度： | 25ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 128-LQFP |
| 供应商设备封装： | 128-TQFP（14x20） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 7054S25PRF8 |
IDT7054S/L
High-Speed 4K x 8 FourPort? Static RAM
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of Write with Port-to-Port Read (1, 2)
t WC
ADDR "A"
MATCH
t WP
R/ W "A"
t DW
t DH
DATA IN"A"
ADDR "B"
DATA "B"
NOTES:
VALID
MATCH
t WDD
t DDD
VALID
3241 drw 09
1. OE = V IL for the reading ports.
2. All timing is the same for left and right ports. Port "A" may be either of the four ports and Port "B" is any other port.
Functional Description
Table I – Read/Write Control
The IDT7054 provides four ports with separate control, address, and
I/O pins that permit independent access for reads or writes to any location
in memory. These devices have an automatic power down feature
controlled by CE . The CE controls on-chip power down circuitry
that permits the respective port to go into standby mode when not selected
( CE = V IH ). When a port is enabled, access to the entire memory array
is permitted. Each port has its own Output Enable control ( OE ). In the read
mode, the port’s OE turns on the output drivers when set LOW. READ/
WRITE conditions are illustrated in the table.
R/ W
X
X
L
H
X
CE
H
H
L
L
X
Any Port (1)
OE
X
X
X
L
H
D 0-7
Z
Z
DATA IN
DATA OUT
Z
Function
Port Deselected: Power-Down
CE P1 = CE P2 = CE P3 = CE P4 =V IH
Power Down Mode I SB or I SB1
Data on port written into memory (2)
Data in memory output on port
Outputs Disabled
3241 tbl 11
NOTES:
1. "H" = V IH , "L" = V IL , "X" = Don’t Care, "Z "= High Impedance
2. For valid write operation, no more than one port can write to the same address
location at the same time.
10
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FMC36DREI-S734 | CONN EDGECARD 72POS .100 EYELET |
| AMC65DRAI-S734 | CONN EDGECARD 130PS .100 R/A PCB |
| FMC44DREF | CONN EDGECARD 88POS .100 EYELET |
| AMC31DTES | CONN EDGECARD 62POS .100 EYELET |
| FMC49DRAS | CONN EDGECARD 98POS R/A .100 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT7054S25PRFG | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM Chip Async Quad 5V 32K-Bit 4K x 8 25ns 128-Pin TQFP |
| IDT7054S35G | 功能描述:IC SRAM 32KBIT 35NS 108PGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT7054S35PRF | 功能描述:IC SRAM 32KBIT 35NS 128TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT7054S35PRF8 | 功能描述:IC SRAM 32KBIT 35NS 128TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70824L20G | 功能描述:IC SARAM 64KBIT 20NS 84PGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。