参数资料
型号: IDT7007S35G
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 9/21页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 256KBIT 35NS 68PGA
标准包装: 3
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,异步
存储容量: 256K (32K x 8)
速度: 35ns
接口: 并联
电源电压: 4.5 V ~ 5.5 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 68-BPGA
供应商设备封装: 68-PGA(29.46x29.46)
包装: 托盘
其它名称: 7007S35G
IDT7007S/L
High-Speed 32K x 8 Dual-Port Static RAM
Waveform of Read Cycles (5)
ADDR
t RC
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
CE
(4)
t AA
(4)
t ACE
OE
R/ W
t AOE
(4)
DATA OUT
t LZ
(1)
VALID DATA
(4)
t OH
t HZ (2)
BUSY OUT
t BDD (3,4)
2940 drw 07
NOTES:
1. Timing depends on which signal is asserted last, OE or CE .
2. Timing depends on which signal is de-asserted first CE or OE .
3. t BDD delay is required only in cases where the opposite port is completing a write operation to the same address location. For simultaneous read operations BUSY
has no relation to valid output data.
4. Start of valid data depends on which timing becomes effective last t AOE , t ACE , t AA or t BDD .
5. SEM = V IH .
Timing of Power-Up Power-Down
CE
I CC
t PU
t PD
I SB
50%
50%
,
2940 drw 08
9
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