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参数资料
| 型号： | H11F3SR2VM |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | OPTOCOUPLER PHOTO FET 6SMD |
| 产品目录绘图： | Opto 6-SMD Package |
| 标准包装： | 1 |
| 通道数： | 1 |
| 输入类型： | DC |
| 电压 - 隔离： | 5300Vrms |
| 输出电压： | 15V |
| 电流 - DC 正向(If)： | 60mA |
| 输出类型： | 光电 FET |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-SMD |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 2760 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | H11F3SR2VMDKR |
Safety and Insulation Ratings
As per IEC 60747-5-2, this optocoupler is suitable for “safe electrical insulation” only within the safety limit data.
Compliance with the safety ratings shall be ensured by means of protective circuits.
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
Installation Classi?cations per DIN VDE 0110/1.89
Table 1
For Rated Main Voltage < 150Vrms
For Rated Main voltage < 300Vrms
Climatic Classi?cation
Pollution Degree (DIN VDE 0110/1.89)
I-IV
I-IV
55/100/21
2
CTI
Comparative Tracking Index
175
V PR
Input to Output Test Voltage, Method b, V IORM x 1.875
1594
V peak
= V PR , 100% Production Test with tm = 1 sec, Partial
Discharge < 5pC
Input to Output Test Voltage, Method a, V IORM x 1.5 =
V PR , Type and Sample Test with tm = 60 sec, Partial
Discharge < 5pC
1275
V peak
V IORM
V IOTM
RIO
Max. Working Insulation Voltage
Highest Allowable Over Voltage
External Creepage
External Clearance
Insulation Thickness
Insulation Resistance at Ts, V IO = 500V
850
6000
7
7
0.5
10 9
V peak
V peak
mm
mm
mm
Ω
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
H11F1M, H11F2M, H11F3M Rev. 1.0.5
4
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| H11F3TM | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:6-PIN DIP, FET OUTPUT, 0.4 IN. LEAD BEND - Bulk |
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| H11F3VM | 功能描述:MOSFET输出光电耦合器 FET Bilateral analog RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 每芯片的通道数量:1 Channel 输出设备:Photo MOSFET 绝缘电压:5000 Vrms 正向电流: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装:Reel |
| H11F3W | 功能描述:MOSFET输出光电耦合器 Optocoupler FET Bilateral analog RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 每芯片的通道数量:1 Channel 输出设备:Photo MOSFET 绝缘电压:5000 Vrms 正向电流: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装:Reel |
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