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参数资料
| 型号： | H11D3M |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | PHOTOCOUPLER DARL OUT GP 6DIP |
| 产品目录绘图： | Opto 6-DIP Package |
| 标准包装： | 1,000 |
| 通道数： | 1 |
| 输入类型： | DC |
| 电压 - 隔离： | 5300Vrms |
| 电流传输比（最小值）： | 20% @ 2mA |
| 输出电压： | 200V |
| 电流 - 输出 / 通道： | 100mA |
| 电流 - DC 正向(If)： | 80mA |
| Vce饱和（最大）： | 400mV |
| 输出类型： | 有基极的晶体管 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 6-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 2759 (CN2011-ZH PDF) |
September 2009
4N38M, H11D1M, H11D2M, H11D3M, MOC8204M
High Voltage Phototransistor Optocouplers
Features
■ High voltage:
– MOC8204M, BV CER = 400V
– H11D1M, H11D2M, BV CER = 300V
– H11D3M, BV CER = 200V
■ High isolation voltage:
– 7500 V AC peak, 1 second
■ Underwriters Laboratory (UL) recognized
File # E90700, Volume 2
General Description
The 4N38M, H11DXM and MOC8204M are photo-
transistor-type optically coupled optoisolators. A gallium
arsenide infrared emitting diode is coupled with a high
voltage NPN silicon phototransistor. The device is sup-
plied in a standard plastic six-pin dual-in-line package.
■
IEC 60747-5-2 approved (ordering option V)
Applications
■ Power supply regulators
■ Digital logic inputs
■ Microprocessor inputs
■ Appliance sensor systems
■ Industrial controls
Schematic
ANODE 1
CATHODE 2
N/C 3
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
6 BASE
5 COLLECTOR
4 EMITTER
Package Outlines
www.fairchildsemi.com
4N38M, H11D1 M, H11D2M, H11D3M, MOC8204M Rev. 1.0.6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1555UGY | BOX ABS 7.9X4.7X3.5" GREY |
| 1590WEFL | BOX ALUM 7.40X4.72X3.30" UNPTD |
| SMBJ11CA-E3/52 | TVS BIDIRECT 600W 11V 5% SMB |
| 1590UF | BOX ALUM 4.72X4.72X2.40" UNPTD |
| FODM453R2 | OPTOCOUPLER TRANS HI SPEED 5MFP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| H11D3S | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 SO-6 HV PHOTO TRAN RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| H11D3S_Q | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 SO-6 HV PHOTO TRAN RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| H11D3SD | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocoupler SM-DIP6 Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| H11D3SM | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Hi Volt Phototrans RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| H11D3SR2M | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
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