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参数资料
| 型号： | GSMBTA56 |
| 厂商： | GTM CORPORATION |
| 英文描述： | PNP SILICON TRANSISTOR |
| 中文描述： | 进步党硅晶体管 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 204K |
| 代理商： | GSMBTA56 |
GSMBTA56
Page: 1/2
ISSUED DATE :2005/08/31
REVISED DATE :
G
G S
S M
M B
B T
TA
A5566
P
P N
N P
P S
S II L
L II C
C O
O N
N T
T R
R A
A N
N S
S II S
S T
T O
O R
R
Description
The GSMBTA56 is designed for general purpose amplifier applications.
Package Dimensions
Millimeter
REF.
Min.
Max.
REF.
Min.
Max.
A
0.80
1.10
L1
0.42 REF.
A1
0
0.10
L
0.15
0.35
A2
0.80
1.00
b
0.25
0.40
D
1.80
2.20
c
0.10
0.25
E
1.15
1.35
e
0.65 REF.
HE
1.80
2.40
Q1
0.15 BSC.
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25 ::::
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Junction Temperature
Tj
+150
Storage Temperature
Tstg
-55~+150
Collector to Base Voltage
VCBO
-80
V
Collector to Emitter Voltage
VCEO
-80
V
Emitter to Base Voltage
VEBO
-4
V
Collector Current
IC
-500
mA
Total Power Dissipation
PD
225
mW
Electrical Characteristics(Ta = 25 : ,unless otherwise noted)
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
BVCBO
-80
-
V
IC=-100uA, IE=0
BVCEO
-80
-
V
IC=-1mA, IB=0
BVEBO
-4
-
V
IE=-100uA, IC=0
ICBO
-
-100
nA
VCB=-80V, IE=0
ICEO
-
-100
nA
VCE=-60V, IB=0
*VCE(sat)
-
-250
mV
IC=-100mA, IB=-10mA
*VBE(on)
-
-1.2
V
VCE=-1V, IC=-100mA
*hFE1
50
-
VCE=-1V, IC=-10mA
*hFE2
50
-
VCE=-1V, IC=-100mA
fT
100
-
MHz
VCE=-2V, IC=-10mA, f=100MHz
* Pulse Test: Pulse Width 380 s, Duty Cycle 2%
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PDF描述 |
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