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参数资料
| 型号： | GSC4N01 |
| 厂商： | GTM CORPORATION |
| 英文描述： | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| 中文描述： | N沟道增强型功率MOSFET |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 407K |
| 代理商： | GSC4N01 |
GSC4N01
Page: 4/4
ISSUED DATE :2006/12/19
REVISED DATE :
Important Notice:
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TEL : 86-21-5895-7671 ~ 4 FAX : 86-21-38950165
VGS VDS (V)
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0.1
1
10
100
1000
Fig 7. Maximum Safe Operating Area
Fig 8. Drain-Source Leakage Current
v.s. Voltage
Power Dissipation
Fig 9. Gate Charge Characteristics
Fig 10. Typical Capacitance Characteristics
Fig 11. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
VDS (V)
ID
(A
)
VDS (V)
ID
S
S,
Le
ak
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(n
A
)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GSC6618 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| GSC6680 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| GSC7811 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| GSC78L05 | 5.0 AMP POSITIVE VOLTAGE REGULATOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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