参数资料
型号: GSC4435
厂商: GTM CORPORATION
英文描述: Automotive Relays; V23132A2001B100=HCR WD ( Tyco Electronics )
中文描述: P沟道增强型功率MOSFET
文件页数: 2/5页
文件大小: 319K
代理商: GSC4435
GSC4435
Page: 2/5
ISSUED DATE :2005/03/02
REVISED DATE :2005/09/30B
Electrical Characteristics(Tj = 25
Unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
Drain-Source Breakdown Voltage
BVDSS
-30
-
V
VGS=0, ID=-250uA
Breakdown Voltage Temperature Coefficient
BVDSS /
Tj
-
-0.037
-
V/ :
Reference to 25 : , ID=-1mA
Gate Threshold Voltage
VGS(th)
-1.0
-
-3.0
V
VDS=VGS, ID=-250uA
Forward Transconductance
gfs
-
20
-
S
VDS=-10V, ID=-8A
Gate-Source Leakage Current
IGSS
-
D100
nA
VGS= D20V
Drain-Source Leakage Current(Tj=25 : )
-
-1
uA
VDS=-30V, VGS=0
Drain-Source Leakage Current(Tj=70 : )
IDSS
-
-5
uA
VDS=-24V, VGS=0
-
20
VGS=-10V, ID=-8A
Static Drain-Source On-Resistance
RDS(ON)
-
35
m
VGS=-4.5V, ID=-5A
Total Gate Charge2
Qg
-
47
-
Gate-Source Charge
Qgs
-
9.5
-
Gate-Drain (“Miller”) Change
Qgd
-
8
-
nC
ID=-4.6A
VDS=-15V
VGS=-10V
Turn-on Delay Time2
Td(on)
-
30
Rise Time
Tr
-
20
Turn-off Delay Time
Td(off)
-
120
Fall Time
Tf
-
80
ns
VDS=-15V
ID=-1A
VGS=-10V
RG=6
RD=15
Input Capacitance
Ciss
-
2800
Output Capacitance
Coss
-
1400
Reverse Transfer Capacitance
Crss
-
350
pF
VGS=0V
VDS=-15V
f=1.0MHz
Source-Drain Diode
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
Forward On Voltage2
VSD
-
-0.75
-1.2
V
IS=-2.1A, VGS=0V, Tj=25 :
Continuous Source Current (Body Diode)
IS
-
-2.1
A
VD=VG=0V, VS=-1.2V
Pulsed Source Current (Body Diode)
1
ISM
-
-50
A
Notes: 1. Pulse width limited by safe operating area.
2. Pulse width 300us, duty cycle 2%.
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