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参数资料
| 型号： | FQU20N06LTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 17.2A IPAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 70 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 17.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 8.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 630pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | FQU20N06LTU-ND FQU20N06LTUFS |
Package Marking and Ordering Information
Part Number
FQU20N06L TU
Top Mark
FQU20N06L
Package
IPAK
Packing Method
Tube
Reel Size
N/A
Tape Width
N/A
Quantity
7 0 units
Electrical Characteristics
T C = 25°C unless otherwise noted.
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min .
Typ .
Max .
Unit
Off Characteristics
BV DSS
? BV DSS
/ ? T J
I DSS
I GSSF
I GSSR
Drain-Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Body Leakage Current, Forward
Gate-Body Leakage Current, Reverse
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
I D = 250 μ A, Referenced to 25°C
V DS = 60 V, V GS = 0 V
V DS = 48 V, T C = 125°C
V GS = 20 V, V DS = 0 V
V GS = -20 V, V DS = 0 V
60
--
--
--
--
--
--
0.06
--
--
--
--
--
--
1
10
100
-100
V
V/°C
μ A
μ A
nA
nA
On Characteristics
V GS(th) Gate Threshold Voltage
V DS = V GS , I D = 250 μ A
1.0
--
2.5
V
R DS(on)
g FS
Static Drain-Source
On-Resistance
Forward Transconductance
V GS = 10 V, I D = 8.6 A
V GS = 5 V, I D = 8.6 A
V DS = 25 V, I D = 8.6 A
--
--
--
0.046
0.057
11
0.06
0.075
--
?
S
Dynamic Characteristics
C iss Input Capacitance
C oss Output Capacitance
C rss Reverse Transfer Capacitance
Switching Characteristics
t d(on) Turn-On Delay Time
t r Turn-On Rise Time
t d(off) Turn-Off Delay Time
V DS = 25 V, V GS = 0 V,
f = 1.0 MHz
V DD = 30 V, I D = 10.5 A,
R G = 25 ?
--
--
--
--
--
--
480
175
35
10
165
35
630
230
45
30
340
80
pF
pF
pF
ns
ns
ns
t f
Turn-Off Fall Time
(Note 4)
--
70
150
ns
Q g
Q gs
Q gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V DS = 48 V, I D = 21 A,
V GS = 5 V
(Note 4)
--
--
--
9.5
2.5
5.5
13
--
--
nC
nC
nC
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
I S Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current
--
--
17.2
A
I SM
Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current
--
--
68.8
A
V SD
t rr
Q rr
Drain-Source Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
V GS = 0 V, I S = 17.2 A
V GS = 0 V, I F = 21 A,
dI F / dt = 100 A/ μ s
--
--
--
--
54
75
1.5
--
--
V
ns
nC
Notes:
1. Repetitive r ating : p ulse - width limited by maximum junction temperature .
2. L = 670 μ H, I AS = 17.2 A, V DD = 25 V, R G = 25 ?, s tarting T J = 25°C .
3. I SD ≤ 21 A, di/dt ≤ 300 A/ μ s, V DD ≤ BV DSS, s tarting T J = 25°C .
4 . Essentially independent of operating tmperature .
?200 9 Fairchild Semiconductor Corporation
FQU20N06L Rev. C 3
2
www.fairchildsemi.com
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