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参数资料
| 型号： | FDD4685 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAK |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 27 毫欧 @ 8.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 27nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2380pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDD4685DKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
2
1
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
P DM
0.01
SINGLE PULSE
NOTES:
t 1
t 2
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
PEAK T J = P DM x Z θ JC x R θ JC + T C
10
10
10
10
10
10
10
1E-3
-5
-4
-3
-2
-1
0
1
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Figure 13. Transient Thermal Response Curve
FDD4685 Rev.B
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1719SN12 | CABLE 19POS FMAL PNL RCPT 1' |
| LH1050 | HLDR INDICATOR PNL MNT T1 3/4 |
| SH166S144 | SHIELDED DC MICRO-MIZER |
| 189P144 | CABLE SGL-END R/A MALE 9POS 12' |
| LH1048B | HLDR INDICATOR PNL BLK T1 3/4 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD4685_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel PowerTrench? MOSFET -40V, -32A, 35mΩ |
| FDD4685_F085 | 功能描述:MOSFET Trans MOS P-Ch 40V 8.4A 3-Pin 2+Tab RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD4685-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:FDD4685 Series 40 V 27 mOhm P-Channel PowerTrench Mosfet TO-252 |
| FDD4685TF_SB82135 | 功能描述:MOSFET -40V/-32A/27 OHM PCH POWER TRENCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD4N60NZ | 功能描述:MOSFET 2.5A Output Current GateDrive Optocopler RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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