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参数资料
| 型号： | FDB2572 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 29A TO-263AB |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 29A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 54 毫欧 @ 9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 34nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1770pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 135W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263AB |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDB2572DKR |
FDB2572
N-Channel PowerTrench ? MOSFET
150V, 29A, 54m ?
Features
? r DS(ON) = 45m ? (Typ.), V GS = 10V, I D = 9A
? Q g (tot) = 26nC (Typ.), V GS = 10V
? Low Miller Charge
? Low Q RR Body Diode
? UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)
Formerly developmental type 82860
DRAIN
(FLANGE)
GATE
SOURCE
TO-263AB
FDB SERIES
January 2012
Applications
? DC/DC converters and Off-Line UPS
? Distributed Power Architectures and VRMs
? Primary Switch for 24V and 48V Systems
? High Voltage Synchronous Rectifier
D
G
S
MOSFET Maximum Ratings T C = 25°C unless otherwise noted
Symbol
V DSS
V GS
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Parameter
Ratings
150
± 20
Units
V
V
Drain Current
Continuous (T C = 25 o C, V GS = 10V)
29
A
C
I D
E AS
P D
T J , T STG
Continuous (T C = 100 o C, V GS = 10V)
Continuous (T amb = 25 o C, V GS = 10V, R θ JA = 43 o C/W)
Pulsed
Single Pulse Avalanche Energy (Note 1)
Power dissipation
Derate above 25 o C
Operating and Storage Temperature
20
4
Figure 4
36
135
0.9
-55 to 175
A
A
A
mJ
W
W/ o C
o
Thermal Characteristics
R θ JC
Thermal Resistance Junction to Case , TO-263
1.11
o
C/W
R θ JA
Thermal Resistance Junction to Ambient , TO-263
(Note 2)
62
o
C/W
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-263, 1in copper pad area
R θJA
2
43
o
C/W
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB2572 Rev. C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 0638117800 | TOOL HAND CRIMP 24-28AWG |
| A6SR-6104-P | SWITCH PIANO DIP 6POS SMD LONG |
| A6SR-6101-P | SWITCH PIANO DIP 6POS SMD SHORT |
| DSR02T | STANDARD DIP SWITCH |
| DS02T | STANDARD DIP SWITCH |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDB2572_Q | 功能描述:MOSFET N-Channel UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB-25P | 制造商:Hirose 功能描述: |
| FDB-25P(05) | 制造商:Hirose 功能描述: |
| FDB-25P0L2TI/1 | 制造商:Cinch Connectors 功能描述:25 way straight PCB filtered D plug,5A |
| FDB25P-1064MTX | 制造商:SOURIAU 功能描述: |
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