参数资料
| 型号： | EL5262IY |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 15/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC AMPLIFIER 200MHZ LP 10-MSOP |
| 标准包装： | 50 |
| 放大器类型： | 电流反馈 |
| 电路数： | 2 |
| 转换速率： | 2500 V/µs |
| -3db带宽： | 500MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 2µA |
| 电压 - 输入偏移： | 1500µV |
| 电流 - 电源： | 1.5mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 100mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 5 V ~ 12 V，±2.5 V ~ 6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 10-MSOP |
| 包装： | 管件 |
9
FN7388.10
January 4, 2008
FIGURE 13. PSRR (VEE)
FIGURE 14. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 15. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 16. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 17. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 18. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
Typical Performance Curves (Continued)
1001k10k
FREQUENCY (Hz)
100k
1M
10M
100M
-30
-20
P
S
RR
(
d
B)
-50
-60
-70
-80
-40
-10
-90
0
VCC = +5V
VEE = -5V
AV = +2
RL = 150Ω
-100
1.250W
909mW
SO8
θJA = +110°C/W
SO16 (0.150”)
θJA = +80°C/W
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.2
0
255075
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
P
O
WER
DIS
S
IPATION
(W
)
125
85
JEDEC JESD51-7 HIGH EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
0.4
893mW
QSOP16
θJA = +112°C/W
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.2
0
255075
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
POWE
R
DI
SSI
PATI
ON
(W)
125
85
JEDEC JESD51-7 HIGH EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
0.4
JEDEC JESD51-7 HIGH EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
0.50
0.45
0.30
0.20
0.15
0.10
0.05
0
255075
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
POWE
R
DI
SSI
PATI
ON
(W)
85
435mW
θJA = +230°C/W
SOT23-5/6
0.40
0.25
0.35
125
JEDEC JESD51-7 HIGH EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
1.0
0.9
0.6
0.4
0.3
0.2
0.1
0
255075
100
125
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
POWER
DISS
IP
AT
ION
(W)
85
870mW
θJA = +115°C/W
MSOP8/10
0.8
0.5
0.7
625mW
SO8
θJA = +160°C/W
SO16 (0.15 0”)
θJA = +110°C/W
1.0
0.9
0.8
0.6
0.4
0.1
0
255075
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
POWER
DISS
IP
AT
ION
(W)
125
85
JEDEC JESD51-3 LOW EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
0.2
0.7
0.3
0.5
909mW
EL5162, EL5163, EL5262, EL5263, EL5362
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PGD015S030BSA01 | SUPPRESSOR ESD ARRAY 15PIN DSUB |
| TA35-CFTRF050C0 | CIRC BREAKER/RED ROCKER SP 5A |
| RP1005S-5R6-F | RES HP 5.6 OHM 1/6W 1% 0402 SMD |
| M80-8870805 | CONN RECEPT 2MM VERT PCB 8POS |
| PGD015S030CSA01 | SUPPRESSOR ESD ARRAY 15PIN DSUB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| EL5262IY-T13 | 功能描述:IC AMP CFA DUAL 500MHZ 10-MSOP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation 系列:- 标准包装:50 系列:- 放大器类型:通用 电路数:2 输出类型:满摆幅 转换速率:1.8 V/µs 增益带宽积:6.5MHz -3db带宽:4.5MHz 电流 - 输入偏压:5nA 电压 - 输入偏移:100µV 电流 - 电源:65µA 电流 - 输出 / 通道:35mA 电压 - 电源，单路/双路(±):1.8 V ~ 5.25 V，±0.9 V ~ 2.625 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） 供应商设备封装:10-MSOP 包装:管件 |
| EL5262IY-T7 | 功能描述:IC AMP CFA DUAL 500MHZ 10-MSOP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation 系列:- 标准包装:50 系列:- 放大器类型:通用 电路数:2 输出类型:满摆幅 转换速率:1.8 V/µs 增益带宽积:6.5MHz -3db带宽:4.5MHz 电流 - 输入偏压:5nA 电压 - 输入偏移:100µV 电流 - 电源:65µA 电流 - 输出 / 通道:35mA 电压 - 电源，单路/双路(±):1.8 V ~ 5.25 V，±0.9 V ~ 2.625 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） 供应商设备封装:10-MSOP 包装:管件 |
| EL5262IYZ | 功能描述:高速运算放大器 EL5262IYZ DL 420MHZ CFAW ENABLE RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| EL5262IYZ-T13 | 功能描述:高速运算放大器 EL5262IYZ DL 420MHZ CFAW ENABLE RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| EL5262IYZ-T7 | 功能描述:高速运算放大器 EL5262IYZ DL 420MHZ CFAW ENABLE RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。