参数资料
| 型号： | EL2126CS-T7 |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 14/19页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC AMP ULT LO NOISE/PWR 8-SOIC |
| 标准包装： | 1,000 |
| 放大器类型： | 电压反馈 |
| 电路数： | 1 |
| 转换速率： | 150 V/µs |
| -3db带宽： | 135MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 7µA |
| 电压 - 输入偏移： | 500µV |
| 电流 - 电源： | 5mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 220mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 5 V ~ 30 V，±2.5 V ~ 15 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 带卷 (TR) |
4
FN7046.4
May 2, 2007
VN
Voltage Noise Spectral Density
1.3
nV/
√Hz
IN
Current Noise Spectral Density
1.2
pA/
√Hz
HD2
2nd Harmonic Distortion (Note 3)
-70
dBc
HD3
3rd Harmonic Distortion (Note 3)
-70
dBc
NOTES:
1. Measured by moving the supplies from ±4V to ±6V
2. Pulse test only and using a 10
Ω load
3. Frequency = 1MHz, VOUT = 2VP-P, into 500Ω and 5pF load
Electrical Specifications
VS+ = +5V, VS- = -5V, TA = +25°C, RF = 180Ω, RG = 20Ω, RL = 500Ω Unless Otherwise Specified.
Parameter
Description
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Electrical Specifications
VS+ = +15V, VS- = -15V, TA = 25°C, RF = 180Ω, RG = 20Ω, RL = 500Ω unless otherwise specified.
Parameter
Description
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
DC PERFORMANCE
VOS
Input Offset Voltage (SO8)
0.5
3
mV
Input Offset Voltage (SOT23-5)
3mV
TCVOS
Offset Voltage Temperature
Coefficient
4.5
V/°C
IB
Input Bias Current
-10
-7
A
IOS
Input Bias Current Offset
0.12
0.7
A
TCIB
Input Bias Current Temperature
Coefficient
0.016
A/°C
CIN
Input Capacitance
2.2
pF
AVOL
Open Loop Gain
80
90
dB
PSRR
Power Supply Rejection Ratio
(Note 4)
65
80
dB
CMRR
Common Mode Rejection Ratio
at CMIR
70
85
dB
CMIR
Common Mode Input Range
-14.6
13.8
V
VOUTH
Positive Output Voltage Swing
No load, RF = 1kΩ
13.6
13.7
V
VOUTL
Negative Output Voltage Swing
No load, RF = 1kΩ
-13.8
-13.7
V
VOUTH2
Positive Output Voltage Swing
RL = 100Ω, RF = 1kΩ
10.2
11.2
V
VOUTL2
Negative Output Voltage Swing
RL = 100Ω, RF = 1kΩ
-10.3
-9.5
V
IOUT
Output Short Circuit Current
(Note 5)
140
220
mA
ISY
Supply Current
56
mA
AC PERFORMANCE - RG = 20Ω, CL = 3pF
BW
-3dB Bandwidth, RL = 500Ω
135
MHz
BW ±0.1dB
±0.1dB Bandwidth, RL = 500Ω
26
MHz
BW ±1dB
±1dB Bandwidth, RL = 500Ω
60
MHz
Peaking
Peaking, RL = 500Ω
2.1
dB
SR
Slew Rate (±2.5V Square Wave,
Measured 25%-75%)
130
150
V/S
OS
Overshoot, 4VP-P Output Square
Wave
Positive
1.6
%
Negative
-4.4
%
TS
Settling Time to 0.1% of ±1V Pulse
48
ns
EL2126
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PDF描述 |
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| EL1516ISZ-T7 | IC AMP DUAL ULT LO NOISE 8-SOIC |
| 602SJR00500E-T | RES CURRENT SEN .005 OHM .25W 5% |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| EL2126CSZ | 功能描述:高速运算放大器 EL2126CSZ LW NOISE CVR A=10 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| EL2126CSZ-T13 | 功能描述:高速运算放大器 EL2126CSZ LW NOISE CVR A=10 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| EL2126CSZ-T7 | 功能描述:高速运算放大器 EL2126CSZ LW NOISE CVR A=10 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| EL2126CW | 制造商:ELANTEC 制造商全称:ELANTEC 功能描述:Ultra-low Noise, Low Power, Wideband Amplifier |
| EL2126CW-T13 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Amplifier. Other |
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