参数资料
| 型号： | EL2125CSZ-T7 |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 9/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC AMP ULT LO NOISE/POWER 8-SOIC |
| 标准包装： | 1,000 |
| 放大器类型： | 电压反馈 |
| 电路数： | 1 |
| 转换速率： | 185 V/µs |
| -3db带宽： | 220MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 22µA |
| 电压 - 输入偏移： | 600µV |
| 电流 - 电源： | 10.8mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 250mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 5 V ~ 30 V，±2.5 V ~ 15 V |
| 工作温度： | -45°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 带卷 (TR) |
2
FN7045.3
May 4, 2007
Absolute Maximum Ratings (TA = +25°C)
Thermal Information
VS+ to VS- . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33V
Continuous Output Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40mA
Any Input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . VS- - 0.3V to VS+ + 0.3V
Ambient Operating Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . -45°C to +85°C
Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -65°C to +150°C
Maximum Die Junction Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C
Power Dissipation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . See Curves
Pb-free reflow profile . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .see link below
CAUTION: Stresses above those listed in “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. This is a stress only rating and operation of the
device at these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this specification is not implied.
IMPORTANT NOTE: All parameters having Min/Max specifications are guaranteed. Typical values are for information purposes only. Unless otherwise noted, all tests
are at the specified temperature and are pulsed tests, therefore: TJ = TC = TA
Electrical Specifications
VS = ±5V, TA = +25°C, RF = 180Ω, RG = 20Ω, RL = 500Ω unless otherwise specified.
PARAMETER
DESCRIPTION
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNIT
DC PERFORMANCE
VOS
Input Offset Voltage (SO8)
0.2
2
mV
Input Offset Voltage (SOT23-5)
3mV
TCVOS
Offset Voltage Temperature Coefficient
1.8
V/°C
IB
Input Bias Current
-30
-22
A
IOS
Input Bias Current Offset
0.4
2
A
TCIB
Input Bias Current Temperature
Coefficient
0.09
A/°C
CIN
Input Capacitance
2.2
pF
AVOL
Open Loop Gain
80
87
dB
PSRR
Power Supply Rejection Ratio
(Note 1)
80
97
dB
CMRR
Common Mode Rejection Ratio
at CMIR
80
106
dB
CMIR
Common Mode Input Range
-4.6
3.8
V
VOUTH
Output Voltage Swing High
No load, RF = 1kΩ
3.5
3.65
V
VOUTL
Output Voltage Swing Low
No load, RF = 1kΩ
-3.87
-3.7
V
VOUTH2
Output Voltage Swing High
RL = 100Ω
33.3
V
VOUTL2
Output Voltage Swing Low
RL = 100Ω
-3.5
-3
V
IOUT
Output Short Circuit Current (Note 2)
80
100
mA
IS
Supply Current
10.1
11
mA
AC PERFORMANCE - RG = 20Ω, CL = 5pF
BW
-3dB Bandwidth
175
MHz
BW ±0.1dB
±0.1dB Bandwidth
34
MHz
BW ±1dB
±1dB Bandwidth
150
MHz
Peaking
0.4
dB
SR
Slew Rate
VOUT = 2VP-P, measured at 20% to 80%
150
185
V/s
OS
Overshoot, 4VP-P Output Square Wave
Positive
0.6
%
Negative
2.7
%
tS
Settling Time to 0.1% of ±1V Pulse
42
ns
EL2125
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