参数资料
型号: DSEP2X31-03A
厂商: IXYS
文件页数: 4/4页
文件大小: 0K
描述: DIODE FRED 300V 30A SOT-227B
标准包装: 10
系列: HiPerFRED™
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.23V @ 30A
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 250µA @ 300V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 30A
电压 - (Vr)(最大): 300V
反向恢复时间(trr): 30ns
二极管类型: 标准
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
二极管配置: 2 个独立式
安装类型: 底座安装
封装/外壳: SOT-227-4,miniBLOC
供应商设备封装: SOT-227B
包装: 管件
DSEP2x31-03A
60
800
T VJ = 100°C
V R = 150 V
30
25
T VJ = 100°C
V R = 150 V
600
I F
40
T VJ = 150°C
100°C
Q r
400
I F = 60 A
30 A
15 A
I RM
20
15
I F = 60 A
30 A
15 A
[A]
20
25°C
[nC]
[A]
10
200
5
0
0
0
0.0
0.5
1.0
1.5
1 0 0
1 0 0 0
0
200
400
600
800
1000
V F [V]
Fig. 1 Forward current I F vs. V F
-di F /dt [A/μs]
Fig. 2 Reverse recovery charge
Q r versus -di F /dt
-di F /dt [A/μs]
Fig. 3 Peak reverse current
I RM versus -di F /dt
1.4
1.2
90
80
T VJ = 100°C
V R = 150 V
14
T VJ = 100°C
I F = 30 A
1.2
1.0
12
0.8
K f
1.0
0.8
0.6
I RM
Q r
t rr
[ns]
70
60
50
I F = 60 A
30 A
15 A
V FR
[V]
10
V FR
t fr
t
0.6 rr
[μs]
0.4
0.2
0.4
40
8
0.0
0
40
80
120
160
0
200
400
600
800
1000
0
200
400
600
800
1000
10
T VJ [°C]
Fig. 4 Dynamic parameters
Q r , I RM versus T VJ
-di F /dt [A/μs]
Fig. 5 Recovery time
t rr versus -di F /dt
-di F /dt [A/μs]
Fig. 6 Peak forward voltage
V FR and tfr versus di F /dt
Constants for Z thJC calculation ...A:
Z thJC
1
i
R thi (K/W)
t i (s)
[K/W]
0.1
1 0.465
2 0.179
3 0.256
0.0052
0.0003
0.0397
0.01
Constants for Z thJC calculation ...AR:
0.001
i
R thi (K/W)
t i (s)
1 0.368
0.0052
0.0001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
t [s]
0.1
1
DSEP 2x31-03A
10
2 0.1417
3 0.0295
0.0003
0.0004
Fig. 7 Transient thermal resistance junction to case
4 0.5604
0.0092
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.
? 2110 IXYS all rights reserved
Data according to IEC 60747and per diode unless otherwise specified
2110531a
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