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参数资料
| 型号： | CM200RL-12NF |
| 厂商： | Powerex Inc |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT MOD 7PAC 600V 200A NF SER |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | IGBTMOD™ |
| 配置： | 三相反相器，带制动器 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.2V @ 15V，200A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 200A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 1mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 30nF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 890W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | 模块 |
| 供应商设备封装： | 模块 |
| 配用： | BG2B-5015-ND - KIT DEV BOARD 2CN 5A FOR IGBT BG2B-3015-ND - KIT DEV BOARD 2CN 3A FOR IGBT BG2B-1515-ND - KIT DEV BOARD 1.5A FOR IGBT BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT |
POWEREX, INC., 200 E. HILLIS STREET, YOUNGWOOD, PENNSYLVANIA 15697-1800 (724) 925-7272
CM200RL-12NF
SIX IGBTMOD? + BRAKE NF-SERIES MODULE
200 AMPERES/600 VOLTS
ELECTRICAL AND MECHANICAL CHARACTERISTICS, T j = 25°C unless otherwise speci?ed
INVERTER SECTOR
Characteristics
COLLECTOR CUTOFF CURRENT
GATE-EMITTER THRESHOLD VOLTAGE
GATE LEAKAGE CURRENT
COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE
INPUT CAPACITANCE
OUTPUT CAPACITANCE
REVERSE TRANSFER CAPACITANCE
TOTAL GATE CHARGE
Symbol
I CES
V GE(TH)
I GES
V CE(SAT)
C IES
C OES
C RES
Q G
Test Conditions
V CE = V CES , V GE = 0V
I C = 20MA, V CE = 10V
V GE = V GES , V CE = 0V
I C = 200A, V GE = 15V, T J = 25°C
I C = 200A, V GE = 15V, T J = 125°C
V CE = 10V, V GE = 0V
V CC = 300V, I C = 200A, V GE = 15V
Min.
—
6
—
—
—
—
—
—
—
Typ.
—
7
—
1.7
1.7
—
—
—
800
Max.
1.0
8
0.5
2.2
—
30.0
3.7
1.2
—
Units
MA
VOLTS
μA
VOLTS
VOLTS
NF
NF
NF
NC
INDUCTIVE
TURN-ON DELAY TIME
T D(ON)
—
—
120
NS
LOAD
SWITCH
TIME
TURN-ON RISE TIME
TURN-OFF DELAY TIME
TURN-OFF FALL TIME
T R
T D(OFF)
T F
V CC = 300V, I C = 200A,
V GE1 = V GE2 = 15V,
R G = 3.1 Ω , I E = 200A,
—
—
—
—
—
—
100
300
300
NS
NS
NS
REVERSE RECOVERY TIME*
REVERSE RECOVERY CHARGE*
EMITTER-COLLECTOR VOLTAGE*
T RR
QRR
V EC
INDUCTIVE LOAD SWITCHING OPERATION
I E = 200A, V GE = 0V
—
—
—
—
4.8
—
150
—
2. 8
NS
μC
VOLTS
THERMAL AND MECHANICAL CHARACTERISTICS, T j = 25°C unless otherwise speci?ed
Characteristics
THERMAL RESISTANCE, JUNCTION TO CASE**
THERMAL RESISTANCE, JUNCTION TO CASE**
CONTACT THERMAL RESISTANCE
EXTERNAL GATE RESISTANCE
Symbol
R TH(J-C) Q
R TH(J-C) D
R TH(C-F)
R G
Test Conditions
PER IGBT 1/6 MODULE
PER FWDI 1/6 MODULE
PER 1/6 MODULE, THERMAL GREASE APPLIED
Min.
—
—
—
3.1
Typ.
—
—
0.051
—
Max.
0.14
0.22
—
31
Units
°C/W
°C/W
°C/W
Ω
*REPRESENTS CHARACTERISTICS OF THE ANTI-PARALLEL, EMITTER-TO-COLLECTOR FREE-WHEEL DIODE (FWDI).
**T C , T F MEASURED POINT IS JUST UNDER THE CHIPS.
3
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PDF描述 |
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