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参数资料
| 型号： | CM200DU-24NFH |
| 厂商： | Powerex Inc |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT MOD DUAL 1200V 200A NFH SER |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | IGBTMOD™ |
| 配置： | 半桥 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 6.5V @ 15V，200A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 200A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 1mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 32nF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 830W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | 模块 |
| 供应商设备封装： | 模块 |
| 配用： | BG2C-5015-ND - KIT DEV BOARD 5A FOR IGBT BG2C-3015-ND - KIT DEV BOARD 3A FOR IGBT BG2A-NFH-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT |
Powerex, Inc., 173 Pavilion Lane, Youngwood, Pennsylvania 15697 (724) 925-7272
CM200DU-24NFH
Dual IGBTMOD? NFH-Series Module
200 Amperes/1200 Volts
Thermal and Mechanical Characteristics, Tj = 25 °C unless otherwise specified
Characteristics
Thermal Resistance, Junction to Case
Symbol
Rth(j-c)Q
Test Conditions
Per IGBT 1/2 Module, TC Reference
Min.
—
Typ.
—
Max.
0.15
Units
°C/W
Point per Outline Drawing
Thermal Resistance, Junction to Case
Rth(j-c)D
Per FWDi 1/2 Module, TC Reference
—
—
0.24
°C/W
Point per Outline Drawing
Thermal Resistance, Junction to Case
Rth(j-c)'Q
Per IGBT 1/2 Module,
—
—
0.095
°C/W
TC Reference Point Under Chips
Thermal Resistance, Junction to Case
Rth(j-c)'D
Per FWDi 1/2 Module,
—
—
0.14
°C/W
TC Reference Point Under Chips
Contact Thermal Resistance
External Gate Resistance
Rth(c-f)
RG
Per 1/2 Module, Thermal Grease Applied
—
1.6
0.04
—
—
16
°C/W
Ω
OUTPUT CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
TRANSFER CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
COLLECTOR-EMITTER
SATURATION VOLTAGE CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
400
300
T j = 25°C
V GE = 20V
15
14
13
12
400
300
V GE = 10V
T j = 25°C
T j = 125°C
9
8
7
6
V GE = 15V
T j = 25°C
T j = 125°C
200
100
11
10
200
100
5
4
3
2
0
0
2
4
6
8
9
8
10
0
0
5
10
15
20
1
0
0
100
200
300
400
CAPACITANCE VS. VCE
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE, V CE , (VOLTS)
COLLECTOR-EMITTER
SATURATION VOLTAGE CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
GATE-EMITTER VOLTAGE, V GE , (VOLTS)
FREE-WHEEL DIODE
FORWARD CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
COLLECTOR-CURRENT, I C , (AMPERES)
(TYPICAL)
10
8
T j = 25°C
I C = 400A
10 3
T j = 25°C
T j = 125°C
10 2
C ies
10 1
6
4
I C = 200A
I C = 80A
10 2
10 0
C oes
2
V GE = 0V
C res
0
6
8
10
12
14
16
18
20
10 1
0
1
2
3
4
5
10 -1
10 -1
10 0
10 1
10 2
GATE-EMITTER VOLTAGE, V GE , (VOLTS)
7/11 Rev. 1
EMITTER-COLLECTOR VOLTAGE, V EC , (VOLTS)
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE, V CE , (VOLTS)
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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