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参数资料
型号： CM15TF-12H
厂商： Powerex Inc
文件页数： 2/4页
文件大小： 0K
描述： IGBT MOD 6PAC 600V 15A H SER
标准包装： 3
系列： IGBTMOD™
配置： 三相反相器
电压 - 集电极发射极击穿（最大）： 600V
Vge, Ic时的最大Vce（开）： 2.8V @ 15V，15A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）： 15A
电流 - 集电极截止（最大）： 1mA
Vce 时的输入电容 (Cies)： 1.5nF @ 10V
功率 - 最大： 100W
输入： 标准
NTC 热敏电阻： 无
安装类型： 底座安装
封装/外壳： 模块
供应商设备封装： 模块
Powerex, Inc., 200 Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272
CM15TF-12H
Six-IGBT IGBTMOD? H-Series Module
15 Amperes/600 Volts
Absolute Maximum Ratings, T j = 25 ° C unless otherwise specified
Ratings
Junction Temperature
Storage Temperature
Collector-Emitter Voltage (G-E SHORT)
Gate-Emitter Voltage
Collector Current
Peak Collector Current
Diode Forward Current
Diode Forward Surge Current
Power Dissipation
Max. Mounting Torque M5 Mounting Screws
Module Weight (Typical)
V Isolation
Symbol
T j
T stg
V CES
V GES
I C
I CM
I F
I FM
P d
–
–
V RMS
CM15TF-12H
–40 to +150
–40 to +125
600
± 20
15
30*
15
30*
100
17
150
2500
Units
° C
° C
Volts
Volts
Amperes
Amperes
Amperes
Amperes
Watts
in-lb
Grams
Volts
* Pulse width and repetition rate should be such that device junction temperature does not exceed the device rating.
Static Electrical Characteristics, T j = 25 ° C unless otherwise specified
Characteristics
Collector-Cutoff Current
Gate Leakage Current
Gate-Emitter Threshold Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Total Gate Charge
Diode Forward Voltage
Symbol
I CES
I GES
V GE(th)
V CE(sat)
Q G
V FM
Test Conditions
V CE = V CES , V GE = 0V
V GE = V GES , V CE = 0V
I C = 1.5mA, V CE = 10V
I C = 15A, V GE = 15V
I C = 15A, V GE = 15V, T j = 150 ° C
V CC = 300V, I C = 15A, V GS = 15V
I E = 15A, V GS = 0V
Min.
–
–
4.5
–
–
–
–
Typ.
–
–
6.0
2.1
2.15
45
–
Max.
1.0
0.5
7.5
2.8**
–
–
2.8
Units
mA
μ A
Volts
Volts
Volts
nC
Volts
** Pulse width and repetition rate should be such that device junction temperature rise is negligible.
Dynamic Electrical Characteristics, T j = 25 ° C unless otherwise specified
Characteristics
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Symbol
C ies
C oes
C res
Test Conditions
V GE = 0V, V CE = 10V, f = 1MHz
Min.
–
–
–
Typ.
–
–
–
Max.
1.5
0.5
0.3
Units
nF
nF
nF
Resistive
Turn-on Delay Time
t d(on)
–
–
120
ns
Load
Switch
Times
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
t r
t d(off)
t f
V CC = 300V, I C = 15A,
V GE1 = V GE2 = 15V, R G = 42 ?
–
–
–
–
–
–
300
200
300
ns
ns
ns
Diode Reverse Recovery Time
Diode Reverse Recovery Charge
t rr
Q rr
I E = 15A, di E /dt = –30A/ μ s
I E = 15A, di E /dt = –30A/ μ s
–
–
–
0.04
110
–
ns
μ C
Thermal and Mechanical Characteristics, T j = 25 ° C unless otherwise specified
Characteristics
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Case
Contact Thermal Resistance
Symbol
R th(j-c)
R th(j-c)
R th(c-f)
Test Conditions
Per IGBT
Per FWDi
Per Module, Thermal Grease Applied
Min.
–
–
–
Typ.
–
–
–
Max.
1.30
3.50
0.092
Units
° C/W
° C/W
° C/W
296
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PDF描述
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