参数资料
型号: CM150DY-28H
厂商: Powerex Inc
文件页数: 3/4页
文件大小: 0K
描述: IGBT MOD DUAL 1400V 150A H SER
标准包装: 1
系列: IGBTMOD™
配置: 半桥
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 1400V
Vge, Ic时的最大Vce(开): 4.2V @ 15V,150A
电流 - 集电极 (Ic)(最大): 150A
电流 - 集电极截止(最大): 1mA
Vce 时的输入电容 (Cies): 30nF @ 10V
功率 - 最大: 1100W
输入: 标准
NTC 热敏电阻:
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商设备封装: 模块
Powerex, Inc., 200 Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272
CM150DY-28H
Dual IGBTMOD? H-Series Module
150 Amperes/1400 Volts
OUTPUT CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
TRANSFER CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
COLLECTOR-EMITTER
SATURATION VOLTAGE CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
300
14
300
5
250
T j = 25 o C
V GE = 20V
15
12
250
V CE = 10V
T j = 25 ° C
T j = 125 ° C
4
V GE = 15V
T j = 25 ° C
T j = 125 ° C
200
11
200
3
150
100
10
150
100
2
50
9
50
1
8
0
0
2
4
6
8
10
0
0
4
8
12
16
20
0
0
50
100
150
200
250
300
10
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE, V CE , (VOLTS)
COLLECTOR-EMITTER
SATURATION VOLTAGE CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
T j = 25 ° C
10 3
GATE-EMITTER VOLTAGE, V GE , (VOLTS)
FREE-WHEEL DIODE
FORWARD CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
T j = 25 ° C
10 2
COLLECTOR-CURRENT, I C , (AMPERES)
CAPACITANCE VS. V CE
(TYPICAL)
8
I C = 300A
10 2
10 1
C ies
6
4
I C = 150A
C oes
10 1
10 0
2
I C = 60A
V GE = 0V
C res
f = 1MHz
0
0
4
8
12
16
20
10 0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
10 -1
10 -1
10 0
10 1
10 2
GATE-EMITTER VOLTAGE, V GE , (VOLTS)
HALF-BRIDGE
SWITCHING CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
EMITTER-COLLECTOR VOLTAGE, V EC , (VOLTS)
REVERSE RECOVERY CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE, V CE , (VOLTS)
GATE CHARGE, V GE
10 4
10 4
10 2
20
10 3
t d(off)
10 3
I rr
10 1
16
12
V CC = 600V
V CC = 800V
t f
10 2
t d(on)
t r
V CC = 800V
V GE = ± 15V
R G = 2.1 ?
T j = 125 ° C
10 2
di/dt = -300A/ μ sec
T j = 25 ° C
t rr
10 0
8
4
10 1
10 1
10 2
10 3
10 1
10 1
10 2
10 -1
10 3
0
0
200
400
600
800
1000
COLLECTOR CURRENT, I C , (AMPERES)
EMITTER CURRENT, I E , (AMPERES)
GATE CHARGE, Q G , (nC)
3
相关PDF资料
PDF描述
CM150DY-34A IGBT MOD DUAL 1700V 150A A SER
CM150E3U-12H IGBT MOD CHOP 600V 150A U SER
CM150E3U-24H IGBT MOD CHOP 1200V 150A U SER
CM150RL-12NF IGBT MOD 7PAC 600V 150A NF SER
CM150RL-24NF IGBT MOD 7PAC 1200V 150A NF SER
相关代理商/技术参数
参数描述
CM150DY-34A 功能描述:IGBT MOD DUAL 1700V 150A A SER RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic时的最大Vce(开):1.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):430A 电流 - 集电极截止(最大):100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B
CM150DY-34A_09 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE
CM150E3U-12H 功能描述:IGBT MOD CHOP 600V 150A U SER RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic时的最大Vce(开):1.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):430A 电流 - 集电极截止(最大):100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B
CM150E3U-12H_09 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM150E3U-24F 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:HIGH POWER SWITCHING USE