- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录615 > CM150DUS-12F (Powerex Inc)IGBT MOD DUAL 600V 150A F SER Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | CM150DUS-12F |
| 厂商： | Powerex Inc |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT MOD DUAL 600V 150A F SER |
| 标准包装： | 2 |
| 系列： | IGBTMOD™ |
| IGBT 类型： | 沟道 |
| 配置： | 半桥 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.7V @ 15V，150A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 150A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 1mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 41nF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 520W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | 模块 |
| 供应商设备封装： | 模块 |
POWEREX, INC., 200 E. HILLIS STREET, YOUNGWOOD, PENNSYLVANIA 15697-1800 (724) 925-7272
CM150DUS-12F
TRENCH GATE DESIGN DUAL IGBTMOD?
150 AMPERES/600 VOLTS
HALF-BRIDGE
SWITCHING CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
REVERSE RECOVERY CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
GATE CHARGE, V GE
10 3
10 2
I RR
10 2
20
I C = 150A
10 2
T D(OFF)
T F
T D(ON)
T R
10 1
T RR
10 1
16
12
V CC = 200V
V CC = 300V
10 1
10 0
10 1
10 2
V CC = 300V
V GE = 15V
R G = 4.2 ?
T J = 125C
10 3
10 0
10 1
10 2
V CC = 300V
V GE = 15V
R G = 4.2 ?
T J = 125C
T RR
I RR
10 0
10 3
8
4
0
0
200 400 600 800 1000 1200 1400
COLLECTOR CURRENT, I C , (AMPERES)
EMITTER CURRENT, I E , (AMPERES)
GATE CHARGE, Q G , (NC)
10 -3
REVERSE RECOVERY SWITCHING LOSS VS.
EMITTER CURRENT
(TYPICAL)
10 1
REVERSE RECOVERY SWITCHING LOSS VS.
GATE RESISTANCE
(TYPICAL)
10 1
10 1
TRANSIENT THERMAL
IMPEDANCE CHARACTERISTICS
( IGBT)
10 -2 10 -1 10 0
10 1
SINGLE PULSE
10 0
T C = 25C
PER UNIT BASE = R TH(J-C) = 0.24C/W
10 0
10 0
10 -1
10 -1
10 -1
10 1
10 2
V CC = 300V
V GE = 15V
R G = 4.3 ?
T J = 125°C
INDUCTIVE LOAD
C SNUBBER AT BUS
10 3
V CC = 300V
V GE = 15V
I C = 150A
T J = 125°C
INDUCTIVE LOAD
C SNUBBER AT BUS
10 -1
10 0
10 1
10 2
10 -2
10 -3
10 -5
10 -4
10 -2
10 -3
10 -3
EMITTER CURRENT, I E , (AMPERES)
GATE RESISTANCE, R G , ()
TIME, (S)
10 1
10 -3
TRANSIENT THERMAL
IMPEDANCE CHARACTERISTICS
(FWDI)
10 -2 10 -1 10 0
SINGLE PULSE
10 1
10 0
10 -1
10 -2
T C = 25C
PER UNIT BASE = R TH(J-C) = 0.47C/W
10 -1
10 -2
10 -3
10 -5
10 -4
10 -3
10 -3
TIME, (S)
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CM150DX-24A | IGBT MOD DUAL 1200V 150A NX SER |
| CM150DY-12H | IGBT MOD DUAL 600V 150A H SER |
| CM150DY-12NF | IGBT MOD DUAL 600V 150A NF SER |
| CM150DY-24A | IGBT MOD DUAL 1200V 150A A SER |
| CM150DY-24H | IGBT MOD DUAL 1200V 150A H SER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CM150DX-24A | 功能描述:IGBT MOD DUAL 1200V 150A NX SER RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| CM150DX-24S | 制造商:Powerex Power Semiconductors 功能描述:IGBT MODULE DUAL 150A 1200V 制造商:Powerex Power Semiconductors 功能描述:IGBT MODULE NX-SERIES DUAL 制造商:Powerex Power Semiconductors 功能描述:IGBT, MODULE, 1.2KV, 150A, Transistor Polarity:Dual N Channel, DC Collector Current:150A, Collector Emitter Voltage Vces:1.2kV, Power Dissipation Pd:1.15kW, Operating Temperature Min:-40C, Operating Temperature Max:150C 制造商:Mitsubishi Electric 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
| CM150DX-34SA | 制造商:Powerex Power Semiconductors 功能描述:IGBT MODULE NX-SERIES DUAL 制造商:Powerex Power Semiconductors 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
| CM150DY12E | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 150A I(C) |
| CM150DY-12H | 功能描述:IGBT MOD DUAL 600V 150A H SER RoHS:否 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。