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参数资料
| 型号： | CM150DU-24NFH |
| 厂商： | Powerex Inc |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT MOD DUAL 1200V 150A NFH SER |
| 标准包装： | 2 |
| 系列： | IGBTMOD™ |
| 配置： | 半桥 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 6.5V @ 15V，150A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 150A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 1mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 24nF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 650W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | 模块 |
| 供应商设备封装： | 模块 |
| 配用： | BG2C-5015-ND - KIT DEV BOARD 5A FOR IGBT BG2C-3015-ND - KIT DEV BOARD 3A FOR IGBT BG2A-NFH-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT |
Powerex, Inc., 173 Pavilion Lane, Youngwood, Pennsylvania 15697 (724) 925-7272
CM150DU-24NFH
Dual IGBTMOD? NFH-Series Module
150 Amperes/1200 Volts
HALF-BRIDGE
SWITCHING CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
REVERSE RECOVERY CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
GATE CHARGE VS. VGE
10 3
10 2
t d(off)
t f
t d(on)
10 3
10 2
V CC = 600V
V GE = 15V
R G = 2.1 ?
T j = 25°C
Inductive Load
10 3
10 2
20
16
12
I C = 150A
V CC = 400V
V CC = 600V
10 1
10 0
10 1
t r
10 2
V CC = 600V
V GE = 15V
R G = 2.1 ?
T j = 125°C
Inductive Load
10 3
10 1
10 1
10 2
I rr
t rr
10 1
10 3
8
4
0
0
200
400
600
800
1000
COLLECTOR CURRENT, I C , (AMPERES)
SWITCHING LOSS VS.
COLLECTOR CURRENT
(TYPICAL)
EMITTER CURRENT, I E , (AMPERES)
SWITCHING LOSS VS.
GATE RESISTANCE
(TYPICAL)
GATE CHARGE, Q G , (nC)
REVERSE RECOVERY SWITCHING LOSS VS.
EMITTER CURRENT
(TYPICAL)
10 1
10 2
V CC = 600V
V GE = ±15V
I C = 150A
T j = 125°C
Inductive Load
10 2
10 0
10 -1
10 1
10 2
V CC = 600V
V GE = 15V
R G = 2.1 ?
T j = 125°C
Inductive Load
C Snubber at Bus
E SW(on)
E SW(off)
10 3
C Snubber at Bus
10 1
10 0
10 0
10 1
E SW(on)
E SW(off)
10 2
10 1
10 0
10 1
10 2
E rr
V CC = 600V
V GE = ±15V
R G = 2.1 ?
T j = 125°C
Inductive Load
C Snubber at Bus
10 3
COLLECTOR CURRENT, I C , (AMPERES)
GATE RESISTANCE, R G , ( ? )
EMITTER CURRENT, I E , (AMPERES)
REVERSE RECOVERY SWITCHING LOSS VS.
GATE RESISTANCE
(TYPICAL)
10 2
10 0
10 -3
TRANSIENT THERMAL
IMPEDANCE CHARACTERISTICS
(IGBT & FWDi)
10 -2 10 -1 10 0
10 1
10 -1
Single Pulse
10 -1
10 1
V CC = 600V
V GE = ±15V
I E = 150A
T j = 125°C
Inductive Load
C Snubber at Bus
10 0
10 0
10 1
E rr
10 2
10 -2
10 -3
T C = 25°C
Per Unit Base =
R th(j-c) =
0.19°C/W
(IGBT)
R th(j-c) =
0.35°C/W
(FWDi)
10 -5
10 -4
10 -2
10 -3
10 -3
4
GATE RESISTANCE, R G , ( ? )
TIME, (s)
Rev. 11/09
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