参数资料
| 型号： | BZA968AVL,115 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 3/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | TVS ZENER QUAD 6.8V SOT665 |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 4.3V |
| 电压 - 击穿： | 6.46V |
| 功率（瓦特）： | 14W |
| 电极标记： | 4 通道阵列 - 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-665 |
| 供应商设备封装： | SOT-665 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 568-7021-6 |
NXP Semiconductors
Quadruple low capacitance ESD
suppressor
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Product data sheet
BZA900AVL series
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
Per diode
I Z
I F
I FSM
P tot
P ZSM
working current
continuous forward current
non-repetitive peak forward current
total power dissipation
non repetitive peak reverse power
T amb = 25 ° C
T amb = 25 ° C
t p = 1 ms; square pulse
T amb = 25 ° C; note 2; see Fig.5
square pulse; t p = 1 ms
?
?
?
?
?
note 1
200
3.5
335
6
mA
mA
A
mW
W
dissipation
T stg
T j
ESD
storage temperature
junction temperature
electrostatic discharge
? 65
?
IEC 61000-4-2 (contact discharge) 15
HBM MIL-Std 883
10
+150
150
?
?
° C
° C
kV
kV
Notes
1. DC working current limited by P tot(max) .
2. Device mounted on standard printed-circuit board.
ESD STANDARDS COMPLIANCE
STANDARD
IEC 61000-4-2, level 4 (ESD)
HBM MIL-Std 883, class 3
THERMAL CHARACTERISTICS
CONDITIONS
>15 kV (air); >8 kV (contact discharge)
>4 kV
SYMBOL
R th j-a
PARAMETER
thermal resistance from junction to
CONDITIONS
all diodes loaded
VALUE
370
UNIT
K/W
ambient
R th j-s
thermal resistance from junction to
solder point; note 1
one diode loaded
all diodes loaded
135
125
K/W
K/W
Note
1. Solder point of common anode (pin 2).
2003 Oct 20
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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