参数资料
| 型号： | AU5517DR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 13/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC AMP 2 CURRENT CTRL 16-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 放大器类型： | 跨导 |
| 电路数： | 2 |
| 输出类型： | 推挽式 |
| 转换速率： | 50 V/µs |
| 增益带宽积： | 2MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 400nA |
| 电压 - 输入偏移： | 400µV |
| 电流 - 电源： | 2.6mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 650µA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 4 V ~ 44 V，±2 V ~ 22 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | AU5517DR2GOSCT |
NE5517, NE5517A, AU5517
http://onsemi.com
7
APPLICATIONS
4, 13
2, 15
3, 14
+
NE5517
11
6
5, 12
1, 16
+15V
15V
7, 10
8, 9
INPUT
OUTPUT
390pF
15V
51W
0.01mF
0.001mF
0.01mF
Figure 20. Unity Gain Follower
10kW
1.3kW
10kW
62kW
5kW
CIRCUIT DESCRIPTION
The circuit schematic diagram of one-half of the
AU5517/NE5517, a dual operational transconductance
amplifier with linearizing diodes and impedance buffers, is
shown in Figure 21.
Transconductance Amplifier
The transistor pair, Q4 and Q5, forms a transconductance
stage. The ratio of their collector currents (I4 and I5,
respectively) is defined by the differential input voltage, VIN,
which is shown in Equation 1.
VIN +
KT
q In
I5
I4
(eq. 1)
Where VIN is the difference of the two input voltages
KT
26 mV at room temperature (300°k).
Transistors Q1, Q2 and diode D1 form a current mirror which
focuses the sum of current I4 and I5 to be equal to amplifier bias
current IB:
I4 ) I5 + IB
(eq. 2)
If VIN is small, the ratio of I5 and I4 will approach unity and
the Taylor series of In function can be approximated as
KT
q In
I5
I4
[ KT
q
I5 * I4
I4
(eq. 3)
and I4 ^ I5 ^ IB
KT
q In
I5
I4
[ KT
q
I5 * I4
1 2IB
+ 2KT
q
I5 * I4
IB
+ VIN (eq. 4)
I5 * I4 + VIN
IB
q
2KT
The remaining transistors (Q6 to Q11) and diodes (D4 to D6)
form three current mirrors that produce an output current equal
to I5 minus I4. Thus:
VIN IB
q
2KT +
IO
(eq. 5)
The term
IB
q
2KT
is then the transconductance of the amplifier
and is proportional to IB.
Figure 21. Circuit Diagram of NE5517
V+
11
D4
Q6
Q7
2,15
D2
Q4
Q5
D3
INPUT
4,13
+INPUT
3,14
AMP BIAS
INPUT
1,16
Q2
Q1
D1
V
6
Q10
D6
Q11
VOUTPUT
5,12
Q9
Q8
D5
Q14
Q15
Q16
R1
D7
D8
Q3
7,10
Q12
Q13
8,9
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B14B-XASK-1 | CONN HEADER XA 14POS 2.5MM TIN |
| 77317-804-66LF | CONN HEADER .100 2ROW R/A 66POS |
| 208457030002025 | CONNECTOR RECEPT 30POS STR |
| TSM-120-01-L-DV-A-P-TR | CONN HEADER 40POS .100" DBL SMD |
| TSM-110-03-S-DH-A-K-TR | CONN HEADER 20POS .100" DBL SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AU5544-WH | 制造商:Pass & Seymour/Legrand 功能描述:LYRIQ STUDIO MLT-SRC 4-Z KIT |
| AU5780 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:SAE/J1850/VPW transceiver |
| AU5780A | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:SAE/J1850/VPW transceiver |
| AU5780AD | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:SAE/J1850/VPW transceiver |
| AU5780AD,112 | 功能描述:射频收发器 SAE/J1850/VPW XCVR RoHS:否 制造商:Atmel 频率范围:2322 MHz to 2527 MHz 最大数据速率:2000 Kbps 调制格式:OQPSK 输出功率:4 dBm 类型: 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 最大工作温度:+ 85 C 接口类型:SPI 封装 / 箱体:QFN-32 封装:Tray |
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