参数资料
型号: AR4PDHM3/87A
厂商: Vishay General Semiconductor
文件页数: 3/3页
文件大小: 83K
描述: DIODE FAST REC 4A 200V SMPC
标准包装: 6,500
系列: eSMP™
二极管类型: 雪崩
电压 - (Vr)(最大): 200V
电流 - 平均整流 (Io): 2A(DC)
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.6V @ 4A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr): 140ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 10µA @ 200V
电容@ Vr, F: 77pF @ 4V,1MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-277,3-PowerDFN
供应商设备封装: TO-277A
包装: 带卷 (TR)
‘lllvVISHAYQV www.vishay.com
AR4PD, AR4PG, AR4PJ
Vishay General Semiconductor
RATINGS AND cHARAcTERIsTIcs cunvEs (TA = 25 cc unless otherwise noted)
I
22
22——a_‘C
al Ine Cathode Band Terrnina
0 25 50 75 100 125 150 175
Ambient Temperature (DC)
DC FonNard Current (A)
Fig. 1 — Maximum Forward Current Derating Curve
Average Power Loss (W)
0 0.5 1.0 15 2.0 2.5 30 3.5 4.0 45 5.0
Average Forward Current (A)
Fig. 2 - Average Power Loss Characteristics
100 —
o
instantaneous Forward Current (A)
on0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4
Instantaneous Fonlvard Voltage (V)
Fig. 3 - Typical Instantaneous Fonivard Characteristics
Revision: 21 -Aug-1 3
1000
100
8
0.1
instantaneous Reverse Current (uA)
Percent 0' Rated Peak Reverse Voltage (%)
Fig. 4 - Typical Reverse Leakage Characteristics
T00
10
Junction Capacitance (pF)
Reverse Voltage (V)
Fig. 5 - Typical Junction Capacitance
Transient Thermal impedance (“C/W)
t— Pulse Duration (s)
Fig. 6 - Typical Transient Thermal Impedance
Document Number: 89334
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AR4PD-M3/87A 功能描述:DIODE FAST REC 4A 200V SMPC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:eSMP™ 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)(最大):50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA,DO-4,接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879
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