- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录17123 > AG910-07E (NVE Corp/Sensor Products)KIT EVALUATION GMR SWITCH PDF资料下载
参数资料
| 型号： | AG910-07E |
| 厂商： | NVE Corp/Sensor Products |
| 文件页数： | 82/145页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | KIT EVALUATION GMR SWITCH |
| 标准包装： | 1 |
| 传感器类型： | 磁性 GMR（大型磁阻传感） |
| 接口： | 模拟 |
| 嵌入式： | 否 |
| 已供物品： | 3 个板，CD，磁体，样品，8-MSOP 插口 |
| 已用 IC / 零件： | AD 系列开关 |
| 相关产品： | AD004-00E-ND - SENSOR MAG SW 20G STNDRD 8-MSOP AD122-00-ND - SENSOR MAG SW 40G CROS AX 8-MSOP AD105-00-ND - SENSOR MAG SW 40G STANDRD 8-MSOP 391-1018-ND - SENSOR MAG SW 10G CRS AXS 8-MSOP 391-1012-ND - SENS MAG SW 28G CROS AXIS 8-MSOP 391-1010-ND - SENS MAG SW 40G CROS AXIS 8-MSOP 391-1009-ND - SENS MAG SW 20G CROS AXIS 8-MSOP 391-1008-ND - SENSOR MAG SW 28G STNDRD 8-MSOP 391-1006-ND - SENSOR MAG SW 40G STNDRD 8-MSOP 391-1005-ND - SENSOR MAG SW 20G STNDRD 8-MSOP |
| 其它名称： | 391-1061 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页当前第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页
Application Notes
The end result in this case is that the mean free path length of the conduction electrons is fairly short,
resulting in a relatively high electrical resistance.
If an external magnetic field of sufficient magnitude is applied to this GMR material, it will overcome
the antiferromagnet coupling of the magnetizations between the two magnetic layers . At this point all
the electrons in both films will have the same spin . It will then become easier for the electrons two
move between the layers:
Spin States of the Magnetic Layers are the same;
Electrons Travel More Readily Through Entire Stack of GMR Material.
Average Mean Free Path of the Electrons is Long
External Magnetic Field Aligns
the Magnetization Directions of
Top and Bottom Films
Magnetization Direction of Top Film
Top Film
(Primarily Spin DOWN Electrons,
Due to Magnetization Direction)
Conductive Interlayer
Bottom Film
(Primarily Spin DOWN Electrons,
Due to Magnetization Direction)
Magnetization Direction of Bottom Film
Note that the mean free path length of the electrons has now increased . This results in an overall lower
electrical resistance for the GMR material . The change in resistivity of the material is shown on the
path length diagram below:
Resistivity Plot Showing Operate Points of GMR Material
With and Without an External Magnetic Field Applied;
Applying the External Field Results in Lower Device Resistance
Operate Point of Film,
Resistivity
No External Field Applied
Operate Point of Film
with External Field Applied
50
100
150
Mean Free Path Length of an Electron (Angstroms)
- 82 -
www.nve.com phone: 952-829-9217 fax: 952-829-9189
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MAX712EPE+ | IC CNTRLR NICD/NIMH 16-DIP |
| VI-J02-EZ | CONVERTER MOD DC/DC 15V 25W |
| MAX1501ZETE+T | IC BATTERY CHARGER 16-TQFN |
| HW-V5-ML507-UNI-G-J | EVAL PLATFORM V5 FXT |
| EBM25DTKH | CONN EDGECARD 50POS DIP .156 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AG911-07 | 功能描述:KIT EVALUATION GMR SWITCH RoHS:否 类别:编程器，开发系统 >> 评估板 - 传感器 系列:- 产品培训模块:Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program 标准包装:1 系列:- |
| AG911-07E | 功能描述:KIT EVALUATION GMR SWITCH RoHS:是 类别:编程器，开发系统 >> 评估板 - 传感器 系列:- 产品培训模块:Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program 标准包装:1 系列:- |
| AG9120-S | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power-Over-Ethernet Module |
| AG-91D08-ES | 制造商:TE Connectivity 功能描述: |
| AG91D-12 | 制造商:TE Connectivity 功能描述: |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。