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参数资料
| 型号： | 6N135V |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 6/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | OPTOCOUPLER 1CH TRANS OUT 8DIP |
| 标准包装： | 1,000 |
| 通道数： | 1 |
| 输入类型： | DC |
| 电压 - 隔离： | 2500Vrms |
| 电流传输比（最小值）： | 7% @ 16mA |
| 电流传输比（最大）： | 50% @ 16mA |
| 输出电压： | -0.5 ~ 20 V |
| 电流 - 输出 / 通道： | 8mA |
| 电流 - DC 正向(If)： | 25mA |
| 输出类型： | 有 Vcc 的晶体管 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 包装： | 管件 |
Electrical Characteristics (Continued) (T A = 0 to 70°C unless otherwise speci?ed)
Isolation Characteristics (T A = 0 to 70°C Unless otherwise speci?ed)
Symbol
I I-O
Characteristics
Input-Output Insulation
Test Conditions
Relative humidity = 45%,
Min
Typ**
Max
1.0
Unit
μA
Leakage Current
T A = 25°C, t = 5s,
V I-O = 3000 VDC (9)
V ISO
R I-O
Withstand Insulation Test
Voltage
Resistance (Input to Output)
RH ≤ 50%, T A = 25°C, I I-O ≤ 2μA,
t = 1 min. (9)
V I-O = 500VDC (9)
2500
10 12
V RMS
?
C I-O
Capacitance (Input to Output)
f=
1MHz (9)
0.6
pF
HFE
DC Current Gain
I O = 3mA, V O = 5V (9)
150
I I-I
Input-Input Insulation Leakage RH ≤ 45%, V I-I = 500VDC (10)
Current
t = 5 s, (HCPL2530/2531 only)
0.005
μA
R I-I
Input-Input Resistance
V I-I = 500 VDC (10)
10 11
?
(HCPL2530/2531 only)
C I-I
Input-Input Capacitance
f = 1MHz) (10)
0.03
pF
(HCPL2530/2531 only)
Notes:
9. Device is considered a two terminal device: Pins 1, 2, 3 and 4 are shorted together and Pins 5, 6, 7 and 8 are
shorted together.
10. Measured between pins 1 and 2 shorted together, and pins 3 and 4 shorted together.
?2005 Fairchild Semiconductor Corporation
6N135, 6N136, HCPL2503, HCPL4502, HCPL2530, HCPL2531 Rev. 1.0.7
6
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 6N135-V | 功能描述:高速光耦合器 1Mb High Speed DC Input RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| 6N135VM | 功能描述:Optoisolator Transistor with Base Output 5000Vrms 1 Channel 8-DIP 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 通道数:1 电压 - 隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:7% @ 16mA 电流传输比（最大值）:50% @ 16mA 打开 / 关闭时间（典型值）:230ns，450ns 上升/下降时间（典型值）:- 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压 - 输出（最大值）:20V 电流 - 输出/通道:8mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.45V 电流 - DC 正向（If）:25mA Vce 饱和值（最大值）:- 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商器件封装:8-DIP 标准包装:1,000 |
| 6N135W | 功能描述:高速光耦合器 1Mbit/s 1Ch Optocoup Transistor Hi Speed RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| 6N135WV | 功能描述:高速光耦合器 1Mbit/s 1Ch Optocoup Transistor Hi Speed RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| 6N135-X007 | 功能描述:高速光耦合器 1Mbd High-Speed Trans Out CTR>16% RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
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