参数资料
型号: 52CPQ030
厂商: Vishay Semiconductors
文件页数: 3/7页
文件大小: 173K
描述: DIODE SCHOTTKY 30V 25A TO-247AC
标准包装: 500
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 480mV @ 25A
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 1.9mA @ 30V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 25A
电压 - (Vr)(最大): 30V
二极管类型: 肖特基
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
二极管配置: 1 对共阴极
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商设备封装: TO-247AC
包装: 管件
其它名称: *52CPQ030
VS-52CPQ030
VS-52CPQ030-ND
VS52CPQ030
VS52CPQ030-ND
VS-52CPQ030PbF, VS-52CPQ030-N3
www.vishay.com
Vishay Semiconductors
Revision: 31-Aug-11
3
Document Number: 94237
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
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Fig. 1 - Maximum Forward Voltage Drop Characteristics
(Per Leg)
Fig. 2 - Typical Values of Reverse Current vs.
Reverse Voltage (Per Leg)
Fig. 3 - Typical Junc
tion Capacitance vs.
Reverse Voltage (Per Leg)
Fig. 4 - Maximum Thermal Impedance Z
thJC
Characteristics (Per Leg)
1
100
10
1000
I
F
- Instantaneous
Forward Current (A)
VFM - Forward Voltage Drop (V)
0.2 0.4 0.6 0.8
1.0
1.6
1.4
1.2
0
TJ
= 150 °C
TJ
= 125 °C
TJ
= 25 °C
0.01
1
10
100
0.1
1000
I
R
- Reverse Current (mA)
VR - Reverse Voltage (V)
5152010
25
30
0
TJ
= 150 °C
TJ
= 125 °C
TJ
= 100 °C
TJ
= 75 °C
TJ
= 50 °C
TJ
= 25 °C
1000
10 000
C
T
- Junction Capacitance (pF)
VR - Reverse Voltage (V)
5 15202510
30
35
0
TJ
= 25 °C
0.01
0.1
1
0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1
t1
- Rectangular Pulse Duration (s)
Z
thJC
- Thermal Impedance (°C/W)
10
Single pulse
(thermal resistance)
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
PDM
t1
t2
Notes:
1. Duty factor D = t1/t2
2. Peak TJ
= P
DM
x Z
thJC
+ T
C
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