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参数资料
| 型号： | 4N32VM |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | PHOTOCOUPLER DARL OUT GP 6DIP |
| 产品目录绘图： | Opto 6-DIP Package |
| 标准包装： | 1,000 |
| 通道数： | 1 |
| 输入类型： | DC |
| 电压 - 隔离： | 2500VDC |
| 电流传输比（最小值）： | 500% @ 10mA |
| 输出电压： | 30V |
| 电流 - 输出 / 通道： | 150mA |
| 电流 - DC 正向(If)： | 80mA |
| Vce饱和（最大）： | 1V |
| 输出类型： | 有基极的达林顿晶体管 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 6-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 2759 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Performance Curves
1.8
Fig. 1 LED Forward Voltage vs. Forward Current
1.6
Fig. 2 Normalized CTR vs. Forward Current
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
T A = -55 ° C
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
V CE = 5.0V
T A = 25 ° C
Normalized to
I F = 10 mA
T A = 25 ° C
1.2
1.1
1.0
T A = 100 ° C
0.4
0.2
0.0
1
10
100
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
1.4
I F - LED FORWARD CURRENT (mA)
Fig. 3 Normalized CTR vs. Ambient Temperature
1.0
I F - FORWARD CURRENT (mA)
Fig. 4 CTR vs. RBE (Unsaturated)
0.9
I F = 20 mA
1.2
I F = 5 mA
0.8
I F = 10 mA
0.7
1.0
0.8
I F = 10 mA
0.6
0.5
0.4
I F = 5 mA
0.6
I F = 20 mA
0.3
0.2
0.4
Normalized to
I F = 10 mA
T A = 25 ° C
0.1
0.0
V CE = 5.0 V
0.2
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
10
100
1000
1.0
T A - AMBIENT TEMPERATURE ( ° C)
Fig. 5 CTR vs. RBE (Saturated)
100
R BE - BASE RESISTANCE (k ?)
Fig. 6 Collector-Emitter Saturation Voltage
vs. Collector Current
0.9
0.8
V CE = 0.3 V
10
T A = 25?C
0.7
0.6
I F = 20 mA
1
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
I F = 10 mA
I F = 5 mA
0.1
0.01
I F = 5 mA
I F = 2.5 mA
I F = 10 mA
I F = 20 mA
0.0
10
100
1000
0.001
0.01
0.1
1
10
R BE - BASE RESISTANCE (k ?)
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
4NXXM, H11B1M, TIL113M Rev. 1.0.3
5
I C - COLLECTOR CURRENT (mA)
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| OSTKH021551 | CONN TERM BLOCK 7.62MM 2POS |
| WM010RI,BK | WALLMNT ENCLOSURE 3.60X2.27X.60 |
| WM010RI,AL | WALLMNT ENCLOSURE 3.60X2.27X.60 |
| OSTT3120451 | TERM BLOCK 5.00MM 12POS |
| OSTHM065081 | CONN TERM BLOCK 6POS 5.08MM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 4N32W | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocoupler Photodarlington RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| 4N32-X000 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Photodarlington Out Single CTR >500% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| 4N32-X001 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>500% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| 4N32-X006 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>500% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| 4N32-X007 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>500% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
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