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参数资料
| 型号： | 4N32-X009 |
| 厂商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | Optocoupler with Photodarlington Output |
| 中文描述： | 与Photodarlington光耦输出 |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 128K |
| 代理商： | 4N32-X009 |
www.vishay.com
2
Document Number 83736
Rev. 1.4, 26-Jan-05
4N32/ 4N33
Vishay Semiconductors
Output
Coupler
Electrical Characteristics
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified
Minimum and maximum values are testing requirements. Typical values are characteristics of the device and are the result of engineering
evaluation. Typical values are for information only and are not part of the testing requirements.
Input
Parameter
Test condition
Symbol
Value
Unit
Collector-emitter breakdown voltage
BVCEO
30
V
Emitter-base breakdown voltage
BVEBO
8.0
V
Collector-base breakdown voltage
BVCBO
50
V
Emitter-collector breakdown voltage
BVECO
5.0
V
Collector (load) current
IC
125
mA
Power dissipation
Pdiss
150
mW
Derate linearly
2.0
mW/°C
Parameter
Test condition
Symbol
Value
Unit
Total dissipation
Ptot
250
mW
Derate linearly
3.3
mW/°
Isolation test voltage (between
emitter and detector, Standard
Climate: 23 °C/ 50 %RH, \\nDIN
500 14)
VISO
5300
VRMS
Leakage Path
7.0
mm min.
Air Path
7.0
mm min.
Isolation Resistance
VIO = 500 V, Tamb = 25 °C
RIO
≥ 1012
VIO = 500 V, Tamb = 100 °C
RIO
≥ 1011
Storange temperature
Tamb
- 55 to + 150
°C
Operating temperature
Tstg
- 55 to + 100
°C
Lead soldering time
at 260 °C
10
s
Parameter
Test condition
Symbol
Min
Typ.
Max
Unit
Forward voltage
IF = 50 mA
VF
1.25
1.5
V
Reverse current
VR = 3.0 V
IR
0.1
100
Capacitance
VR = 0 V
CO
25
pF
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 4N32-X009T | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>500% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| 4N32-X017T | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>500% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
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