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参数资料
| 型号： | 4AK20 |
| 厂商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel Power MOS FET Array |
| 中文描述： | 硅N沟道功率MOS场效应管阵列 |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 36K |
| 代理商： | 4AK20 |
4AK20
4
Condition : Channel Dissipation of
each die is identical
4 Device Operation
3 Device Operation
2 Device Operation
1 Device Operation
Maximum Channel Dissipation Curve
25
50
75
100
125
150
0
1
2
3
4
5
6
Ambient Temperature Ta (°C)
Channel
Dissipation
Pch
(W)
Condition : Channel Dissipation of
each die is identical
4 Device Operation
3 Device Operation
2 Device Operation
1 Device Operation
Maximum Channel Dissipation Curve
25
50
75
100
125
150
0
10
20
30
Case Temperature TC (°C)
Channel
Dissipation
Pch
(W)
50
5
0.5
0.2
0.05
0.5 1
10
5
100
Drain to Source Voltage VDS (V)
Drain
Current
I
D
(A)
Maximum Safe Operation Area
20
10
1
2
0.1
0.1 0.2
2
20
50
Ta = 25°C
1 ms
DC
Operation
(T
C =
25°C)
PW
=
10
ms
(1
Shot)
10
s
100
s
Operation
in
this
area
is limited
by
R
DS
(on)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 4AK21 | Silicon N-Channel Power MOS FET Array |
| 4AK22 | Silicon N-Channel Power MOS FET Array |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 4AK21 | 制造商:HITACHI 制造商全称:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel Power MOS FET Array |
| 4AK22 | 制造商:HITACHI 制造商全称:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel Power MOS FET Array |
| 4AK23 | 制造商:HITACHI 制造商全称:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel Power MOS FET Array |
| 4AK25 | 制造商:HITACHI 制造商全称:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel Power MOS FET Array |
| 4AK26 | 制造商:HITACHI 制造商全称:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel Power MOS FET Array |
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