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参数资料
| 型号： | 4AK16 |
| 厂商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel Power MOS FET Array |
| 中文描述： | 硅N沟道功率MOS场效应管阵列 |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 50K |
| 代理商： | 4AK16 |
4AK16
5
Typical Transfer Characteristics
3
Gate to Source Voltage VGS (V)
4
2
1.0
05
2
4
6
8
10
0
Drain
Current
I
D
(A)
TC= 25°C
75°C
VDS = 10 V
Pulse Test
–25°C
Drain
to
Source
Saturation
Voltage
V
DS
(on)
(V)
Drain to Source Saturation Voltage
vs. Gate to Source Voltage
6
Gate to Source Voltage VGS (V)
8
4
2
010
0.8
1.2
1.6
2.0
0
0.4
Pulse Test
ID = 2 A
5 A
10 A
5
Drain Current ID (A)
10
2
1.0
50
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
0.5
0.02
0.01
20
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Drain Current
Static
Drain
to
Source
on
State
Resistance
R
DS
(on)
(
)
VGS = 4 V
10 V
Pulse Test
40
Case Temperature TC (°C)
80
0
–40
160
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0
120
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Temperature
Static
Drain
to
Source
on
State
Resistance
R
DS
(on)
(
)
ID = 10 A
5 A
2 A
5 A
10 A
Pulse Test
VGS = 4 V
VGS = 10 V
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PDF描述 |
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