- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录378 > 2SK4069-ZK-E1-AY (Renesas Electronics America)MOSFET N-CH 25V MP-3ZK/TO-252 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | 2SK4069-ZK-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V MP-3ZK/TO-252 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 12V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 860pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252（MP-3Z） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
2SK4069
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
30
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
10000
25
C iss
20
15
10
5
V GS = 4.5 V
10 V
I D = 15 A
1000
100
V GS = 0 V
C rss
C oss
0
Pulsed
10
f = 1 MHz
-75 -50 -25
0
25 50 75 100 125 150 175
0.1
1
10
100
T ch - Channel Temperature - °C
SWITCHING CHARACTERISTICS
V DS - Drain to Source Voltage - V
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
100
t d(off)
25
20
V DD = 20 V ／ I D = 30 A
12 V ／ 30 A
5 V ／ 22.5 A
14
12
10
15
8
10
t d(on)
t f
10
V GS
6
4
1
V DD = 12 V
V GS = 12 V
R G = 3 Ω
t r
5
0
V DS
2
0
0.1
1
10
100
0
5
10
15
I D - Drain Current - A
SOURCE TO DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE
1000
100
Q G - Gate Charge - nC
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
di/dt = 100 A/ μ s
100
10
V GS = 10 V
4.5 V
0V
10
V GS = 0 V
1
0.1
Pulsed
0.01
1
0
0.5
1
1.5
0.1
1
10
100
V F(S-D) - Source to Drain Voltage - V
Data Sheet D18032EJ3V0DS
I F - Diode Forward Current - A
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK4124 | MOSFET N-CH 500V 20A TO-3PB |
| 2SK4125 | MOSFET N-CH 600V 17A TO-3PB |
| 2V7002LT1G | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23-3 |
| 2V7002WT1G | MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3 |
| 30 PSI-G-4V | SENSOR 30PSIG 4V DUAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SK4069-ZK-E2-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 25V MP-3ZK/TO-252 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| 2SK4070 | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 2SK4070(1)-S27-AY | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 2SK4070-S15-AY | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 2SK4070-ZK-E1-AY | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。