- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录378 > 2SK3993-ZK-E1-AY (Renesas Electronics America)MOSFET N-CH 25V MP-3ZK/TO-252 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | 2SK3993-ZK-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V MP-3ZK/TO-252 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 64A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.8 毫欧 @ 32A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 88nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4770pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252（MP-3Z） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
2SK3993
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
10
8
6
V GS = 5.0 V
10000
1000
C iss
4
10 V
C oss
C rss
2
I D = 32 A
V GS = 0 V
0
Pulsed
-75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175
T ch - Channel Temperature - °C
f = 1 MHz
100
0.01 0.1 1 10
V DS - Drain to Source Voltage - V
100
SWITCHING CHARACTERISTICS
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
1000
30
12
100
10
t f
t d(off)
V DD = 12.5 V
V GS = 10 V
R G = 10 Ω
t r
t d(on)
25
20
15
10
5
0
I D = 64 A
(V DD = 5.0 V at I D = 56 A)
V DD = 20 V
12.5 V
5.0 V
V DS
V GS
10
8
6
4
2
0
0.1
1
10
100
0
20
40
60
80
100
I D - Drain Current - A
SOURCE TO DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE
1000
V GS = 10 V
100
1000
100
Q G - Gate Charge - nC
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
di/dt = 100 A/ μ s
V GS = 0 V
10
0V
1
10
0.1
Pulsed
0.01
1
0
0.5
1
1.5
1
10
100
V F(S-D) - Source to Drain Voltage - V
Data Sheet D17322EJ2V0DS
I F - Diode Forward Current - A
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK4065-E | MOSFET N-CH 75V 100A SMP |
| 2SK4069-ZK-E1-AY | MOSFET N-CH 25V MP-3ZK/TO-252 |
| 2SK4124 | MOSFET N-CH 500V 20A TO-3PB |
| 2SK4125 | MOSFET N-CH 600V 17A TO-3PB |
| 2V7002LT1G | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SK3993-ZK-E1-AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:MOSFET - Tape and Reel |
| 2SK3993-ZK-E2-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 25V MP-3ZK/TO-252 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| 2SK3994(Q) | 制造商:Toshiba 功能描述:Nch 250V 20A 0.105@10V TO220NIS Bulk |
| 2SK3994(Q,T) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET N-CH 250V 20A TO220NIS |
| 2SK40 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述: |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。