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参数资料
| 型号： | 2SK3984-ZK-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 18A TO-252 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 18A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 85 毫欧 @ 9A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 750pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252（MP-3ZK） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 2SK3984-ZK-E1-AYDKR |
2SK3984
50
45
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
100
T ch = 150°C
40
10
125°C
75°C
35
30
25
V GS = 10 V
1
0.1
25°C
? 25°C
? 40°C
20
15
0.01
10
5
0
Pulse
d
0.001
0.0001
V DS = 10 V
Pulsed
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
8
V DS - Drain to Source Voltage - V
GATE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
V DS = 10 V
10
V GS - Gate to Source Voltage - V
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
V DS = 10 V
7
6
I D = 1 mA
1
Pulsed
T ch = ? 40°C
? 25°C
25°C
75°C
5
4
3
2
0.1
0.01
125°C
150°C
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150 175
0.01
0.1
1
10
100
T ch - Channel Temperature - ° C
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
240
I D - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
140
220
200
180
Pulsed
120
100
Pulsed
160
140
120
100
80
60
40
V GS = 10 V
80
60
40
20
0
I D = 5 A
I D = 9 A
1
10
100
4
6
8
10
12
14
16
18
20
4
I D - Drain Current - A
Data Sheet D17323EJ2V0DS
V GS - Gate to Source Voltage - V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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