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参数资料
| 型号： | 2SK3943-ZP-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 82A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.5 毫欧 @ 41A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 93nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5800pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 2SK3943-ZP-E1-AYDKR |
2SK3943
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
400
350
Pulsed
1000
300
V GS = 10 V
100
T ch = ? 55°C
25°C
250
200
150
100
5.5 V
10
1
0.1
75°C
125°C
150°C
V DS = 10 V
50
0
0.01
Pulsed
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
6
7
4
V DS - Drain to Source Voltage - V
GATE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
100
V GS - Gate to Source Voltage - V
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
3.5
3
2.5
2
1.5
1
V DS = 10 V
I D = 1 mA
10
1
T c h = ? 55°C
25°C
75°C
125°C
150°C
0.5
0
0.1
V DS = 10 V
Pulsed
-75
-25
25
75
125
175
0.1
1
10
100
T ch - Channel Temperature - ° C
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
10
I D - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
10
9
8
7
6
5
Pulsed
V GS = 5.5 V
8
6
Pulsed
4
3
4
I D = 41 A
2
1
0
10 V
2
0
1
10
100
1000
0
5
10
15
20
4
I D - Drain Current - A
Data Sheet D17188EJ2V0DS
V GS - Gate to Source Voltage - V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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