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参数资料
| 型号： | 2SK3812-ZP-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V MP-25ZP/TO-263 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 110A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.8 毫欧 @ 55A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 250nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 16800pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 2SK3812-ZP-E1-AYDKR |
2SK3812
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
6
5
4
Pulsed
V GS = 4.5 V
100000
10000
V GS = 0 V
f = 1 MHz
C iss
3
2
10 V
1000
C oss
1
0
100
C rss
-75
-25
25
75
125
175
0.1
1
10
100
T ch - Channel Temperature - °C
SWITCHING CHARACTERISTICS
V DS - Drain to Source Voltage - V
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
1000
60
I D = 110 A
12
t r
50
V DD = 48 V
10
100
10
t d(off)
t d(on)
t f
40
30
20
30 V
12 V
V GS
8
6
4
V DD = 30 V
1
V GS = 10 V
R G = 0 ?
10
0
V DS
2
0
0.1
1
10
100
1000
0
50
100
150
200
250
300
1000
I D - Drain Current - A
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
V GS = 10 V
1000
Q G - Gate Charge - nC
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
di/dt = 100 A/ μ s
V GS = 0 V
100
4.5 V
0V
100
10
10
1
Pulsed
0.1
1
0
0.5
1
1.5
0.1
1
10
100
1000
V F(S-D) - Source to Drain Voltage - V
Data Sheet D16738EJ1V0DS
I F - Diode Forward Current - A
5
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