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参数资料
| 型号： | 2SK3479-Z-E2-AZ |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 100V N-CH TO-263 |
| 标准包装： | 2,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 83A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11 毫欧 @ 42A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 210nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 11000pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263，TO-220SMD |
| 包装： | 带卷 (TR) |
2SK3479
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
1000 Pulsed
300
250
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
100
200
V GS =10 V
4 .5 V
10
T A = ? 40? C
25 ? C
75 ? C
150 ? C
150
100
1
50
0.1
1
2
3
4
V DS = 10 V
5
6
0
1
2
3
4
Pulsed
5
V GS - Gate to Source Voltage - V
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
V DS - Drain to Source Voltage - V
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
100 V DS = 10 V
Pulsed
20
Pulsed
16
10
T A = 150?C
1
75 ? C
25 ? C
? 40 ? C
12
8
I D = 83 A
42 A
0.1
4
0.01
0.01
0.1
1
10
100
0
5
10
15
20
I D - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
V GS - Gate to Source Voltage - V
GATE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
50
40
Pulsed
3.0
2.5
V DS = 10 V
I D = 1 mA
2.0
30
1.5
20
V GS = 4.5 V
1.0
10
10 V
0.5
0
1
10
100
1000
0
? 50
0
50
100
150
4
I D - Drain Current - A
Data Sheet D15077EJ1V0DS
T ch - Channel Temperature - ? C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| 2SK3480 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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