- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录378 > 2SK3018T106 (Rohm Semiconductor)MOSFET N-CH 30V .1A SOT-323 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | 2SK3018T106 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V .1A SOT-323 |
| 产品目录绘图： | xT106 Series SOT-323 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 100mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 欧姆 @ 10mA，4V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 100µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 13pF @ 5V |
| 功率 - 最大： | 200mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-70，SOT-323 |
| 供应商设备封装： | UMT3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1638 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 2SK3018T106DKR |
2SK3018
Transistor
2.5V Drive Nch MOS FET
2SK3018
Structure
Silicon N-channel
MOSFET
External dimensions (Unit : mm)
UMT3
2.0
0.9
Applications
(3)
0.3
0.2
0.7
Interfacing, switching (30V, 100mA)
(2)
0.65 0.65
1.3
(1)
0.15
Features
1) Low on-resistance.
2) Fast switching speed.
3) Low voltage drive (2.5V) makes this device ideal for
portable equipment.
4) Drive circuits can be simple.
5) Parallel use is easy.
Packaging specifications
(1) Source
(2) Gate
(3) Drain
Each lead has same dimensions
Abbreviated symbol : KN
Equivalent circuit
Package
Taping
Drain
Type
Code
Basic ordering unit
(pieces)
T106
3000
2SK3018
Gate
? Gate
Absolute maximum ratings (Ta=25 ° C)
Protection
Parameter
Drain-source voltage
Symbol
V DSS
Limits
30
Unit
V
Diode
Source
Gate-source voltage
Drain current
Continuous
Pulsed
V GSS
I D
I DP ? 1
± 20
± 100
± 400
V
mA
mA
? A protection diode is included between the gate
and the source terminals to protect the diode
against static electricity when the product is in use.
Use a protection circuit when the fixed voltages
are exceeded.
Total power dissipation
Channel temperature
Storage temperature
P D ? 2
Tch
Tstg
200
150
? 55 to + 150
mW
° C
° C
? 2 With each pin mounted on the recommended lands.
? 1 Pw ≤ 10 μ s, Duty cycle ≤ 1%
Thermal resistance
Parameter
Channel to ambient
Symbol
Rth(ch-a) ?
Limits
625
Unit
° C / W
? With each pin mounted on the recommended lands.
Rev.B
1/3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3019TL | MOSFET N-CH 30V .1A SOT416 |
| 2SK3479-Z-E2-AZ | MOSFET 100V N-CH TO-263 |
| 2SK3480-AZ | MOSFET N-CH 100V MP-25/TO-220 |
| 2SK3481-AZ | MOSFET N-CH 100V MP-25/TO-220 |
| 2SK3482-AZ | MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SK3018-TP | 功能描述:N-CHANNEL MOSFET, SOT-323 PACKAG 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100μA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:13pF @ 5V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:200mW（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8 欧姆 @ 10mA，4V 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:SOT-323 封装/外壳:SC-70，SOT-323 标准包装:1 |
| 2SK3018UB | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Nch MOSFET |
| 2SK3018W | 制造商:WEITRON 制造商全称:Weitron Technology 功能描述:N-Channel POWER MOSFET |
| 2SK3018WT1 | 制造商:WILLAS 制造商全称:WILLAS 功能描述:SOT-323 Plastic-Encapsulate MOSFETS |
| 2SK3019 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Small switching (30V, 0.1A) |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。