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参数资料
| 型号： | 2SC5812 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | MFPAK-3 |
| 文件页数： | 6/12页 |
| 文件大小： | 118K |
| 代理商： | 2SC5812 |
2SC5812
Silicon NPN Epitaxial
VHF/UHF wide band amplifier
ADE-208-1468(Z)
Rev.0
Nov. 2001
Features
High power gain, Low noise figure at low power operation:
|S
21|
2 = 17 dB typ, NF = 1.0 dB typ (V
CE = 1 V, IC = 5 mA, f = 900 MHz)
Outline
MFPAK
1
3
2
1. Emitter
2. Base
3. Collector
Note: Marking is “WG–“.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SH28 | 20 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
| 2SJ518 | 2000 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2SJ553L-E | 30 A, 60 V, 0.055 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SJ553STL-E | 30 A, 60 V, 0.055 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK1341 | 6 A, 900 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC581300L | 功能描述:TRANS NPN 80VCEO 1.5A MINI-3P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC5819(TE12L,F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR NPN 20V 1.5A SC-62 |
| 2SC582 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC5823-TL-E | 制造商:SANYO 功能描述:NPN 400V 1.5A 20 to 50 TP-FA Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR NPN 400V 1.5A TO-251 制造商:Sanyo 功能描述:0 |
| 2SC5824T100Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 60V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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