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参数资料
| 型号： | 2SC5801-T3FB-A |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 16/23页 |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | 2SC5801-T3FB-A |
NEC Compound Semiconductor Devices Hong Kong Limited
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0110
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5th Sales Group, Sales Division TEL: +81-3-3798-6372 FAX: +81-3-3798-6783 E-mail: salesinfo@csd-nec.com
Business issue
NEC Compound Semiconductor Devices, Ltd.
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Sales Engineering Group, Sales Division
E-mail: techinfo@csd-nec.com FAX: +81-44-435-1918
Technical issue
2SC5801
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5812 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SH28 | 20 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
| 2SJ518 | 2000 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2SJ553L-E | 30 A, 60 V, 0.055 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SJ553STL-E | 30 A, 60 V, 0.055 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| 2SC5810(TE12L,F) | 功能描述:MOSFET Power Trans 100V 0.17V Vce 85ns RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| 2SC5819(TE12L,F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR NPN 20V 1.5A SC-62 |
| 2SC582 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
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