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参数资料
| 型号： | 2SC5745-T1FB |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | THIN, ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 13/24页 |
| 文件大小： | 118K |
| 代理商： | 2SC5745-T1FB |
Data Sheet P15439EJ1V0DS
20
2SC5745
EQUAL NF CIRCLE
VCE = 1 V
IC = 10 mA
f = 2 GHz
NFmin = 2.15 dB
Γopt
2.5 dB
3.0 dB
3.5
dB
4.0
dB
VCE = 1 V
IC = 10 mA
f = 1 GHz
3.5 dB
NFmin = 1.4 dB
Γopt
1.5 dB
2.0 dB
2.5 dB
3.0 dB
4.0 dB
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5754-FB | S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5801-T3FB-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5812 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SH28 | 20 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
| 2SJ518 | 2000 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC5748(Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT NPN 900V 16A 3-Pin TO-3P(LH) |
| 2SC5750-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343 制造商:cel 系列:- 包装:剪带 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:6V 频率 - 跃迁:15GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.7dB @ 2GHz 增益:15dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:75 @ 20mA，3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-82A，SOT-343 供应商器件封装:- 标准包装:1 |
| 2SC5750-T1-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343 制造商:cel 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:6V 频率 - 跃迁:15GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.7dB @ 2GHz 增益:15dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:75 @ 20mA，3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-82A，SOT-343 供应商器件封装:SOT-343 标准包装:3,000 |
| 2SC5750-T1-A-FB | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SC5751-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包装:剪带 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:6V 频率 - 跃迁:15GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.7dB @ 2GHz 增益:16dB 功率 - 最大值:205mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:75 @ 20mA，3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-343F 供应商器件封装:- 标准包装:1 |
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