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参数资料
| 型号： | 2SC5454FB |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | MINIMOLD PACKAGE-4 |
| 文件页数： | 10/14页 |
| 文件大小： | 182K |
| 代理商： | 2SC5454FB |
2SC5454
3
Preliminary Data Sheet
GAIN BANDWIDTH PRODUCT
vs. COLLECTOR CURRENT
1
14
12
16
14
1
12
10
8
6
4
2
10
100
10
8
6
4
10
20
100
IC - Collector Current - mA
fT
-
Gain
Bandwidth
Product
-
GHz
VCE = 3 V
f = 2 GHZ
VCE = 3 V
f = 2 GHZ
INSERTION POWER GAIN
vs. COLLECTOR CURRENT
|S
21e
|
2 -
Insertion
Power
Gain
-
dB
0
1
14
12
1
10
8
6
4
2
0
10
100
0.2
0.4
0.6
0.8
10
100
IC - Collector Current - mA
C
re
-
Reverse
Transfer
Capacitance
-
pF
VCB - Collector to Base Voltage - V
G
a-
Gain
with
Minimum
NF
-
dB
NF
-
Noise
Figure
-
dB
VCE = 3 V
f = 2 GHZ
f = 1 MHZ
GAIN WITH MINIMUM NF/NOISE FIGURE
vs. COLLECTOR CURRENT
REVERSE TRANSFER CAPACITANCE
vs. COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
Ga
NF
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 2SC5455-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-143 制造商:cel 系列:- 包装:剪带 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:6V 频率 - 跃迁:12GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.5dB @ 2GHz 增益:10dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:75 @ 30mA，3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-253-4，TO-253AA 供应商器件封装:- 标准包装:1 |
| 2SC5455-FB(T1) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SC5455-T1-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-143 制造商:cel 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:6V 频率 - 跃迁:12GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.5dB @ 2GHz 增益:10dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:75 @ 30mA，3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-253-4，TO-253AA 供应商器件封装:SOT-143 标准包装:3,000 |
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