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参数资料
| 型号： | 2N7002KT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 320MA SOT-23 |
| 产品变化通告： | Wire Change for SOT23 Pkg 26/May/2009 Product Obsolescence 13/Apr/2009 |
| 标准包装： | 10,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 320mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.6 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 0.7nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 24.5pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 300mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
2N7002K, 2V7002K
TYPICAL CHARACTERISTICS
30
5
20
C iss
4
T J = 25 ° C
I D = 0.2 A
10
C oss
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
3
2
1
0
0
C rss
4
8
12
16
20
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
Qg, TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
10
V GS = 0 V
1.3
1.2
I D = 250 m A
1.1
1
1.0
0.1
T J = 85 ° C
T J = 25 ° C
0.9
0.8
0.7
0.6
0.01
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.5
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 9. Diode Forward Voltage vs. Current
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 10. Threshold Voltage with
Temperature
http://onsemi.com
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 2N7002KW | 功能描述:MOSFET NCHAN Enhance MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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