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参数资料
| 型号： | 2N7002-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 115mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.5 欧姆 @ 50mA，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 2N7002DI 2N7002DITR |
2N7002
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
A
SOT23
Dim Min Max Typ
A
0.37 0.51 0.40
H
B C
B
C
D
F
G
H
1.20 1.40 1.30
2.30 2.50 2.40
0.89 1.03 0.915
0.45 0.60 0.535
1.78 2.05 1.83
2.80 3.00 2.90
K
K1
M
J
K
0.013 0.10 0.05
0.903 1.10 1.00
J
F
G
D
L
K1
L
- - 0.400
0.45 0.61 0.55
M
??
0.085 0.18 0.11
0° 8° -
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
Please see AP02001 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf for the latest version.
Y
Dimensions Value (in mm)
Z
2N7002
Document number: DS11303 Rev. 33 - 2
X
E
C
4 of 5
www.diodes.com
Z
X
Y
C
E
2.9
0.8
0.9
2.0
1.35
July 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N7002-E3 | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 |
| 2N7002-G | MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23 |
| 2N7002_S00Z | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23 |
| 2N7002A-7 | MOSFET N CH 60V 180MA SOT23 |
| 2N7002DW-7 | MOSFET N-CHANEL DUAL 60V SOT-363 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N7002-7-12-F | 制造商:DIODES 功能描述:N-CHANNEL MOSFET/ SOT-23 |
| 2N70027F | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述: |
| 2N7002-7-F | 功能描述:MOSFET 60V 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2N7002-7-F-31 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL MOSFET/ SOT-23 (LEAD FREE) |
| 2N7002A | 制造商:KEC 制造商全称:KEC(Korea Electronics) 功能描述:N CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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