参数资料
型号: 23K256T-I/SN
厂商: Microchip Technology
文件页数: 4/28页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 256KBIT 20MHZ 8SOIC
产品培训模块: 23x640 and 23x256 SRAM Overview
标准包装: 3,300
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM
存储容量: 256K (32K x 8)
速度: 20MHz
接口: SPI 串行
电源电压: 2.7 V ~ 3.6 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 带卷 (TR)
23A256/23K256
TABLE 1-2:
AC CHARACTERISTICS (CONTINUED)
AC CHARACTERISTICS
Industrial (I): T A = -40°C to +85°C
Automotive (E): T A = -40°C to +125°C
Param.
No.
14
15
16
17
18
Sym.
T DIS
T HS
T HH
T HZ
T HV
Characteristic
Output disable time
HOLD setup time
HOLD hold time
HOLD low to output High-Z
HOLD high to output valid
Min.
10
10
10
Max.
20
20
20
20
50
Units
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Test Conditions
V CC ?? 1.5V (I-Temp)
V CC ?? 1.8V (I-Temp)
V CC ?? 3.0V (E-Temp)
V CC ?? 3.0V (I-Temp)
Note 1:
This parameter is periodically sampled and not 100% tested.
TABLE 1-3:
AC Waveform:
AC TEST CONDITIONS
Input pulse level
Input rise/fall time
Operating temperature
C L = 100 pF
0.1 V CC to 0.9 V CC
5 ns
-40°C to +125°C
Timing Measurement Reference Level:
Input
Output
DS22100F-page 4
0.5 V CC
0.5 V CC
? 2008-2011 Microchip Technology Inc.
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PDF描述
EMC65DRYS-S734 CONN EDGECARD 130PS DIP .100 SLD
12600-S-08 THUMBSCREW LOCK SDR SHELL 0.18"
23A256T-I/SN IC SRAM 256KBIT 20MHZ 8SOIC
XC2V250-5FG256I IC FPGA VIRTEX-II 256FGBGA
ASM44DRYN-S13 CONN EDGECARD 88POS .156 EXTEND
相关代理商/技术参数
参数描述
23K3577 制造商:Distributed By MCM 功能描述:CAPACITOR 16V 10000UF 105C HI TEMP,RADIAL18D X 35.5L MM
23K3638 制造商:Distributed By MCM 功能描述:CAPACITOR 35V 47UF 105CHIGH TEMP,RADIAL (5D X 11L MM)
23K640 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:64K SPI Bus Low-Power Serial SRAM
23K640-E/P 功能描述:静态随机存取存储器 64K 8K X 8 2.7V SERIAL 静态随机存取存储器 EXT RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
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